[发明专利]连接用焊盘的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种连接用焊盘的制造方法，具体而言，涉及一种半导体元件收纳用的封装中的连接用焊盘的制造方法。

背景技术

专利文献1及专利文献2公示了内装有MEMS元件及IC芯片的半导体装置，这些半导体装置具有以覆盖封装内部的几乎整体的方式形成的电磁屏蔽用的导电层。另外，在专利文献1中，由具有凹部的盖和基板构成封装，在盖的凹部内安装有MEMS元件。

作为在上述那样的盖的内侧面形成连接用焊盘、例如用于连接接合线的独立的接合用焊盘的方法，使用例如图1(a)～(d)所示的方法。

在如图1所示的方法中，使用上表面形成有凹部202的图1(a)那样的盖201。首先，如图1(b)所示，在凹部202的内表面及盖201的上表面形成有金属膜203。其次，通过光刻技术对金属膜203进行构图，如图1(c)及(d)所示，在规定区域设置连接用焊盘204，同时，在其之外的大致整个面形成电磁屏蔽用的导电层205。

但是，在该方法中，由于使用光刻技术对金属膜203进行构图，因而在该工序中需要光致抗蚀剂的涂敷工序、光致抗蚀剂的曝光工序、光致抗蚀剂的构图工序、光致抗蚀剂的蚀刻工序、光致抗蚀剂的剥离工序等。另外，为了使连接用焊盘204与导电层205之间的绝缘可靠，而在图1(c)及(d)的工序之后，在连接用焊盘204和导电层205之间必须将绝缘材料埋入盖201露出的区域。其结果是，在如图1所示的方法中，使连接用焊盘204的制作工序变得复杂，造成高成本。

另外，作为制作连接用焊盘的其它方法，有如图2所示的方法。在如图2所示的方法中，如图2(a)所示，在成形为平板状的盖201的上表面形成金属膜203。然后，如图2(b)所示，使用光刻技术对金属膜203进行构图，在盖201的上表面形成连接用焊盘204和导电层205。另外，如图2(c)所示，对导电层205和盖201进行研磨而在盖201上设置凹部202。

在该方法中，如图2(b)所示，为了对金属膜203进行构图并形成连接用焊盘204而需要光刻技术。另外，在形成凹部202之后还需要在凹部202内形成导电层，因此，需要设置用于保护连接用焊盘204的保护膜。另外，该情况下为了使连接用焊盘204和导电层205的绝缘可靠，而必须将绝缘材料埋入其间。其结果是，在图2所示的方法中，也会使工序变得复杂，造成高成本。

专利文献1：美国专利申请公报第2008/0283988号说明书(US 2008/0283988A1)

专利文献2：美国专利申请公报第2007/0058826号说明书(US 2008/0058826A1)

发明内容

本发明是鉴于上述的技术课题而提出的，其目的在于，提供一种在半导体装置的封装等中能合理且可廉价地制作连接用焊盘的连接用焊盘的制造方法。

本发明的连接用焊盘的制造方法，其特征在于，具备：第一工序，以包围要形成连接用焊盘的区域的方式在所述基材的表面突设绝缘性部件；第二工序，以覆盖所述绝缘性部件的方式在所述基材的表面形成导电层；第三工序，除去覆盖所述绝缘性部件的所述导电层，使所述绝缘性部件遍及全周从所述导电层露出，在由所述绝缘性部件包围的区域形成由所述导电层构成的连接用焊盘。

在本发明中，若在基材上形成导电层之前在基材的表面形成绝缘性部件，则只要除去该导电层而使绝缘性部件露出就可制作独立的连接用焊盘。因此，不需要使用光刻技术而构图导电层，而可以通过简单的工序制作连接用焊盘，可廉价制作连接用焊盘。而且，由于在连接用焊盘和其外侧的导电层之间埋有绝缘性部件，因而使连接用焊盘的绝缘性变得良好。

本发明的连接用焊盘的制造方法中，在第一工序中，所述绝缘性部件可以与所述基材一起一体形成，或者所述绝缘性部件可以通过在所述基材的表面附加绝缘性材料而形成。将绝缘性材料和基材进行一体成形的方法在基材也是由绝缘性材料构成的情况下有效，从降低成本上来说是非常有利的。另外，在基材上附加绝缘性材料而形成绝缘性部件的方法具有通用性，在基材由难以成形的材料构成的情况下也可使用。

另外，在所述第二工序中，若在基材的表面经由由绝缘性材料构成的覆盖膜而设置导电层，则也可以使用具有导电性的基材例如金属制的基材。