[发明专利]硅片的返工处理方法

权利要求书

1.一种硅片的返工处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)、清除掉所述硅片上的SiNx薄膜；

2)、采用平板式PECVD装置对所述硅片重新进行SiNx薄膜沉淀；

3)、对SiNx薄膜沉淀完成后的硅片进行丝网印刷和烧结，然后进行电性能测试。

2.根据权利要求1所述的硅片的返工处理方法，其特征在于，上述步骤1)具体由以下步骤实现，包括：

11)、采用浓度为25％～35％的HF溶液，对硅片上的SiNx薄膜进行腐蚀，腐蚀时间为4～10分钟；

12)、对SiNx薄膜腐蚀完毕后的硅片采用清水进行清洗，清洗时间为4～10分钟。

3.根据权利要求2所述的硅片的返工处理方法，其特征在于，上述步骤11)中，采用浓度为25％～30％的HF溶液对硅片上的SiNx薄膜进行腐蚀，腐蚀时间为5分钟。

4.根据权利要求3所述的硅片的返工处理方法，其特征在于，所述HF溶液的浓度为30％。

5.根据权利要求2所述的硅片的返工处理方法，其特征在于，上述步骤12)中，对SiNx薄膜腐蚀完毕后的硅片采用清水进行清洗，清洗时间为5分钟。

6.根据权利要求2-4中任意一项所述的硅片的返工处理方法，其特征在于，在步骤12)之后还包括：

步骤13)、将硅片放入到去磷硅玻璃的槽体内对HF溶液进行进一步清洗。

7.根据权利要求6所述的硅片进行PECVD后的返工方法，其特征在于，在步骤13)之后还包括：

步骤14)、采用甩干机将硅片甩干。