[发明专利]硅片的返工处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池制作工艺技术领域，更具体地说，涉及一种硅片的返工处理方法。

背景技术

目前，太阳能电池的制造工艺已经基本规范化，请参考附图1，其主要处理流程为：硅片经过清洗及制绒，使得原本光亮的硅片表面变的凹凸不平，增大了硅片对光的吸收率；经过高温扩散，将p型硅基体上掺入n型杂质，从而形成p-n结；再通过等离子刻蚀和去磷硅玻璃将硅片的侧面和背面的氧化层去除；通过PECVD在硅片的扩散面沉积一层SiNx薄膜，减少硅片对入射光的反射；印制背电极、背电场和正面电极，烧结使电极与硅片形成合金结构，最后对硅片进行电性能测试并分档，最后包装入库。

上述太阳能电池制造工艺中，PECVD(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition)，即等离子增强型化学气相沉积法，其主要原理是利用等离子体作为能量源，将样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电(或另加发热体)使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，经过一系列化学反应和等离子体反应，在硅片的表面形成固态薄膜。在太阳能电池制作工艺中，应用的是NH₃和SiH₄形成等离子体，在硅片上形成一层SiNx薄膜，主要起到钝化和减反射的作用。上述经过PECVD沉积SiNx后的硅片表面通常是深蓝色，但是经过PECVD后会有部分不合格的硅片，如具有较大的色斑、较多水点印、颜色明显不均匀，上述不合格的硅片与合格的硅片相比具有较大的色差，需要将不合格的硅片进行返工，重新进行PECVD沉积SiNx。现有的返工方法中，首先将不合格的硅片上的SiNx薄膜完全洗掉，然后进行PECVD方法沉淀SiNx薄膜，现有技术中采用管式PECVD对硅片进行重新沉淀SiNx薄膜，在管式PECVD中，NH₃和SiH₄同时被激发形成等离子体，含有更多的H等离子会和硅片中的悬挂键等缺陷结合，具有更好的钝化作用。但是形成的等离子体会直接接触硅片基体，对硅片表面进行轰击，因此对硅片的表面造成一定的损伤，降低了硅片的质量，进而影响到硅片的光电转换效率。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种硅片的返工处理方法，避免了现有返工处理方法中对硅片的伤害，提高了返工处理后的硅片质量。

为了达到上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：

一种硅片的返工处理方法，包括以下步骤：

1)、清除掉所述硅片上的SiNx薄膜；

2)、采用平板式PECVD装置对所述硅片重新进行SiNx薄膜沉淀；

3)、对SiNx薄膜沉淀完成后的硅片进行丝网印刷和烧结，然后进行电性能测试。

优选的，上述硅片的返工处理方法中，上述步骤1)具体由以下步骤实现，包括：

11)、采用浓度为25％～35％的HF溶液，对硅片上的SiNx薄膜进行腐蚀，腐蚀时间为4～10分钟；

12)、对SiNx薄膜腐蚀完毕后的硅片采用清水进行清洗，清洗时间为4～10分钟。

优选的，上述硅片的返工处理方法中，上述步骤11)中，采用浓度为25％～30％的HF溶液对硅片上的SiNx薄膜进行腐蚀，腐蚀时间为5分钟。

优选的，上述硅片的返工处理方法中，所述HF溶液的浓度为30％。

优选的，上述硅片的返工处理方法中，上述步骤12)中，对SiNx薄膜腐蚀完毕后的硅片采用清水进行清洗，清洗时间为5分钟。

优选的，上述硅片的返工处理方法中，在步骤12)之后还包括：

步骤13)、将硅片放入到去磷硅玻璃的槽体内对HF溶液进行进一步清洗。

优选的，上述硅片的返工处理方法中，在步骤13)之后还包括：

步骤14)、采用甩干机将硅片甩干。

由上述技术方案可知，本发明实施例提供的硅片的返工处理方法中，将不合格的硅片上的SiNx薄膜清除掉，采用平板式PECVD装置对硅片重新进行薄膜沉淀，由于采用平板式PECVD装置进行薄膜沉淀时，NH₃产生的等离子体不会直接与硅片接触，在对洗掉SiNx薄膜的不合格片进行PECVD时可以保护硅片表面不受到等离子体的二次轰击，减少了对硅片表面的伤害，提高了硅片表面的质量，提高了硅片的光电转换效率。

附图说明

图1为现有技术提供的太阳能电池硅片的处理工艺流程图；

图2为本发明实施例提供的硅片的返工处理方法的流程示意图；