[发明专利]具有标记导通柱的半导体装置

说明书

技术领域

本发明关于一种具有导通柱的半导体装置，详言之，关于一种具有标记导通柱的半导体装置。

背景技术

参考图1，显示一已知半导体晶圆的剖面示意图。参考图2，显示图1的局部剖面示意图。该半导体晶圆1包括一半导体基板10及数个导通柱(Through SubstrateVias，TSVs)12。该半导体基板10具有一正面(图中未示)及一背面101。这些导通柱12位于该半导体基板10内，且这些导通柱12之后端121凸出于该背面101。

在曝光工艺之后，该半导体基板10的背面101的位置及方向必须被确认，以继续接下来的步骤，例如：微影工艺(Photolithography Process)，其用以形成一重布层(Redistribution Layer)于该背面101。一种特殊的背面定位(Backside Alignment，BSA)设备用以达成该目的。然而，使用这类设备会提高制造成本，且其定位误差相当高。

参考图3，显示一已知半导体芯片的剖面示意图。该半导体芯片2由一半导体晶圆切割而成。该半导体芯片2包括一半导体基板20、一背面钝化层(Passivation)21及数个导通柱22。该半导体基板20具有一正面(图中未示)及一背面201。该背面钝化层21位于该背面201上。这些导通柱22位于该半导体基板20内，且这些导通柱22之后端221凸出于该背面201及该背面钝化层21。一表面处理层222形成于这些导通柱22的这些后端221上。

在半导体工艺中，一上半导体装置(图中未示)接合至该半导体基板20的该背面201，且这些导通柱22的这些凸出之后端221必须接触位于该上半导体装置的底面的凸块或焊球，以达成电性连接。在接合工艺之前，该半导体基板20的该背面201的位置及方向必须被确认。通常，一重布层形成于该背面201，以作为一基准标记(Fiducial Mark)。该基准标记很容易被侦测到，其有利于确认该背面201的位置及方向。然而，形成该重布层会提高制造成本。

因此，有必要提供一种具有标记导通柱的半导体装置，以解决上述问题。

发明内容

本发明提供一种具有标记导通柱的半导体装置。该半导体装置包括一半导体基板、数个原始导通柱(Original Through Substrate Vias)及数个标记导通柱(MarkThrough Substrate Vias)。该半导体基板具有一正面及一背面。这些原始导通柱位于该半导体基板内，且凸出于该背面。这些原始导通柱包括数个第一原始导通柱及数个第二原始导通柱。这些第一原始导通柱排列成一第一阵列，且这些第二原始导通柱排列成一第二阵列。二相邻的第一原始导通柱间的间距定义为一第一间距，且二相邻第二原始导通柱间的间距定义为一第二间距。

这些标记导通柱位于该半导体基板内，且凸出于该背面。这些标记导通柱包括数个第一标记导通柱及数个第二标记导通柱。这些第一标记导通柱排列成一第一群组，且这些第二标记导通柱排列成一第二群组。该第一群组位于靠近该第一阵列的位置，且该第二群组位于靠近该第二阵列的位置。二相邻第一标记导通柱间的间距定义为一第三间距，且最靠近这些第一标记导通柱的该第一原始导通柱及该第一标记导通柱间的间距定义为一第四间距。二相邻的第二标记导通柱间的间距定义为一第五间距，且最靠近这些第二标记导通柱的该第二原始导通柱及该第二标记导通柱间的间距定义为一第六间距。该第三间距不等于该第四间距，且该第三间距及该第四间距皆不可被该第一间距整除。该第五间距不等于该第六间距，且该第五间距及该第六间距皆不可被该第二间距整除。

本发明更提供一种具有标记导通柱的半导体装置。该半导体装置包括一半导体基板、数个原始导通柱及数个标记导通柱。该半导体基板具有一正面及一背面。这些原始导通柱位于该半导体基板内，且凸出于该背面。这些原始导通柱排列成数个原始阵列，且每一这些原始阵列具有一原始图案。

这些标记导通柱位于该半导体基板内，且凸出于该背面。这些标记导通柱包括数个第一标记导通柱及数个第二标记导通柱。这些第一标记导通柱排列成一第一图案以形成一第一群组，且这些第二标记导通柱排列成一第二图案以形成一第二群组。该第一群组位于该背面的一第一角落，该第二群组位于该背面的一第二角落，且该第一角落相对于该第二角落。该第一图案及该第二图案皆不同于该原始图案。

在本发明中，这些标记导通柱被添加，以作为一基准标记，其有利于确认该背面的位置及方向。因此，不需要该重布层或该用以达成背面定位的特殊设备。

附图说明