[发明专利]一种芯片的散热结构无效
| 申请号： | 201010571866.X | 申请日： | 2010-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102064146A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 黄欣;张天威;黄芊芊;秦石强;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L23/38 | 分类号： | H01L23/38;H01L29/15 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 散热 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种芯片的散热结构，其特征在于，在芯片的上表面通过氧化隔离形成P型和N型超晶格层，P型超晶格和N型超晶格之间通过二氧化硅隔离，P型超晶格通过接触孔与芯片接低电位的金属层电学相连，同时P型超晶格上方形成金属层连接外接电源；N型超晶格通过接触孔与芯片接高电位电源的金属层电学相连，同时N型超晶格上方形成金属层连接外接电源，P型超晶格连接的外接电源电位要低于N型超晶格连接的外接电源。
2.如权利要求1所述的芯片的散热结构，其特征在于，P型超晶格连接的外接电源电位为地，N型超晶格连接的外接高电位电源，芯片其他金属导电层通过通孔的铜互连与外接电源连接，铜与超晶格间用二氧化硅隔离。
3.如权利要求1所述的芯片的散热结构，其特征在于，芯片上表面的超晶格采用周期性SiGe/Si、BiTe/SbTe、BiTe/BiTeSe、GaN/AlN、Si/SiO2等结构，超晶格厚度为1-3um，超晶格掺杂浓度为1019-1020cm-3。
4.如权利要求1所述的芯片的散热结构，其特征在于，超晶格与芯片间有一层1-2um的缓冲层，缓冲层与超晶格具有相同的掺杂浓度。
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