[发明专利]壳体及其制造方法无效
| 申请号： | 201010572399.2 | 申请日： | 2010-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102485940A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;陈晓强 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35 |
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| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 壳体 及其 制造 方法 | ||
1.一种壳体，包括铝或铝合金基体、依次形成于铝或铝合金基体上的结合层、防腐蚀层，其特征在于：所述结合层为硅层，所述防腐蚀层为氮化硅层。
2.如权利要求1所述的壳体，其特征在于：该结合层的厚度为0.1～0.2μm。
3.如权利要求1所述的壳体，其特征在于：该防腐蚀层的厚度为0.5～1.0μm。
4.如权利要求1所述的壳体，其特征在于：所述防腐蚀层上磁控形成一色彩层，该色彩层为氮化钛层(Ti-N)或氮化铬层(Cr-N)。
5.一种壳体的制造方法，包括以下步骤：
提供铝或铝合金基体；
在该铝或铝合金基体上磁控溅射形成结合层，该结合层为硅层；
在该结合层上磁控溅射形成防腐蚀层，该防腐蚀层为氮化硅层。
6.如权利要求5所述的壳体的制造方法，其特征在于：磁控溅射所述结合层的工艺参数为：以氩气为工作气体，氩气流量为100～200sccm，设置占空比为30～80％，对铝或铝合金基体施加-50～-200V的偏压，镀膜室温度为100～150℃，以硅靶为靶材，设置其功率为2～8kw，沉积时间为20～40min。
7.如权利要求5所述的壳体的制造方法，其特征在于：磁控溅射所述防腐蚀层的工艺参数为：以氩气为工作气体，氩气流量为100～200sccm，以氮气为反应气体，氮气流量为50～100sccm，设置占空比为30％～50％，对铝或铝合金基体上施加-50～-100V的偏压，镀膜室温度为100～150，以硅靶为靶材，设置其功率为2～8kw，沉积时间为90～180min。
8.如权利要求5所述的壳体的制造方法，其特征在于：在该耐腐蚀层上磁控溅射形成一色彩层。
9.如权利要求8所述的壳体的制造方法，其特征在于：磁控溅射所述色彩层的工艺参数为：开启一钛靶或铬靶的电源，设置其功率8～10kw，设置氮气流量为20～170sccm，沉积时间为20～30min。
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