[发明专利]半导体制造工艺中芯片回流的方法无效
| 申请号： | 201010574089.4 | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102479681A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 闻正锋;谭志辉 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 工艺 芯片 回流 方法 | ||
1.一种半导体制造工艺中芯片回流的方法，其特征在于，该方法包括：
将芯片放置在反应室内；
控制反应室温度为第一温度，对芯片进行回流；
其中，在0.5或0.6微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第一温度小于850摄氏度；在0.8微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第一温度小于915摄氏度；在1.0微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第一温度小于950摄氏度。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在0.5或0.6微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第一温度在760摄氏度～820摄氏度之间。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在0.5或0.6微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第一温度是800摄氏度，
4.如权利要求1～3任一所述的方法，其特征在于，在0.5微米金属氧化物半导体制造工艺中，对芯片进行回流的时间在90分钟～150分钟之间。
在0.6微米金属氧化物半导体制造工艺中，对芯片进行回流的时间在180分钟～240分钟之间。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，在0.5微米金属氧化物半导体制造工艺中，对芯片进行回流的时间是90分钟；
在0.6微米金属氧化物半导体制造工艺中，对芯片进行回流的时间是180分钟。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在0.8微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第一温度在825摄氏度～885摄氏度之间；
在1.0微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第一温度在860摄氏度～920摄氏度之间。
7.如权利要求1或6所述的方法，其特征在于，在0.8微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第一温度是850摄氏度；
在1.0微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第一温度是900摄氏度。
8.如权利要求1或6所述的方法，其特征在于，在0.8或1.0微米金属氧化物半导体制造工艺中，对芯片进行回流的时间在90分钟～150分钟之间。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在0.8微米金属氧化物半导体制造工艺中，对芯片进行回流的时间是120分钟；
在1.0微米金属氧化物半导体制造工艺中，对芯片进行回流的时间是120分钟。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
