[发明专利]半导体制造工艺中芯片回流的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种半导体制造工艺中芯片回流的方法。

背景技术

制造互补金属氧化物半导体的简易工艺流程是：定义N阱P阱→定义有源区→定义栅极→定义N型源漏→N型源漏注入→定义P型源漏→P型源漏注入→掺硼磷的氧化物生长→回流→定义孔层→金属及护层定义。

对于制造好的芯片，芯片的耐压值是衡量芯片性能的一个重要参数，如果耐压值偏低，芯片在使用过程中就会发生漏电，导致芯片不能正常使用。以0.8微米金属氧化物半导体制造工艺为例，该工艺制造出的芯片的耐压值的典型值在8伏以上，约11伏左右。这样的电压值对于工作电压为5伏的应用是绰绰有余的。但是对于某些有特殊应用(如微波炉中的LED驱动)的芯片，它的工作电压在8.5伏左右，而且随着供电电源的不稳定，供电电压会在7伏到11伏之间波动，传统的芯片耐压值11伏就比较危险，容易造成漏电大、不工作的现象。所以对于这种对耐压要求较高的特殊芯片，必须提高耐压值，使得芯片能够正常使用。

在金属氧化物半导体制作工艺中，提高芯片耐压值的传统方法有两种：

第一种：降低阱浓度。

第二种：增大栅极尺寸以增大沟道宽度。

以上两种方法都有一些不可避免的缺点，其中第一种方法对器件参数影响较大，而第二种方法只对源漏穿通(Punch through)造成的低耐压起作用，无法提高整个芯片的耐压值。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体制造工艺中芯片回流的方法，能够提高整个芯片耐压值，同时避免对器件参数影响较大和只对源漏穿通造成的低耐压起作用的缺点。

本发明实施提供的半导体制造工艺中芯片回流的方法，包括：

将芯片放置在反应室内；

控制反应室温度为第一温度，对芯片进行回流；

其中，在0.5或0.6微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第一温度小于850摄氏度；在0.8微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第一温度小于915摄氏度；在1.0微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第一温度小于950摄氏度。

其中，在0.5或0.6微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第一温度在760摄氏度～820摄氏度之间。

较佳的，在0.5或0.6微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第一温度是800摄氏度，

其中，在0.5微米金属氧化物半导体制造工艺中，对芯片进行回流的时间在90分钟～150分钟之间；在0.6微米金属氧化物半导体制造工艺中，对芯片进行回流的时间在180分钟～240分钟之间。

较佳的，在0.5微米金属氧化物半导体制造工艺中，对芯片进行回流的时间是90分钟；在0.6微米金属氧化物半导体制造工艺中，对芯片进行回流的时间是180分钟。

其中，在0.8微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第一温度在825摄氏度～885摄氏度之间；在1.0微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第一温度在860摄氏度～920摄氏度之间。

较佳的，在0.8微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第一温度是850摄氏度；在1.0微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第一温度是900摄氏度。

其中，在0.8或1.0微米金属氧化物半导体制造工艺中，对芯片进行回流的时间在90分钟～150分钟之间。

较佳的，在0.8微米金属氧化物半导体制造工艺中，对芯片进行回流的时间是120分钟；在1.0微米金属氧化物半导体制造工艺中，对芯片进行回流的时间是120分钟。

由于本发明实施例通过改变回流温度，达到提高芯片耐压值的效果。避免对器件参数影响较大和只对源漏穿通造成的低耐压起作用的缺点。同时工艺上简单可行，不额外增加工艺步骤。

附图说明

图1A为本发明实施例回流前源漏的结构示意图；

图1B为本发明实施例回流后源漏横向扩散后的结构示意图；

图2为本发明实施例半导体制造工艺中芯片回流的方法示意图。

具体实施方式

发明人在发明过程中，发现在半导体制造工艺流程中，回流过程中的温度越高，源漏横向扩散越多，导致芯片耐压值越低。参见图1A～图1B，图1A表示回流前的源漏的结构示意图，图1B表示回流后的源漏横向扩散后的结构示意图。

本发明提供一种半导体制造工艺中芯片回流的方法，通过改变回流温度，从而减少源漏横向扩散，达到提高整个芯片耐压值的目的。同时工艺上简单可行，不额外增加工艺步骤。