[发明专利]一种曝光方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种曝光方法。

背景技术

众所周知，制造半导体器件的晶片是圆形，而在圆形晶片上进行曝光的区域却是矩形。为了使得晶片充分利用，追求利益最大化，需要在晶片表面布满尽可能多的管芯，因此，在光刻工艺中对晶片进行曝光时，在晶片边缘就不可避免地存在不完整矩形区域，对这些不完整矩形区域进行曝光将会发生聚焦现象，一般称这种聚焦为边缘聚焦。

聚焦一般是因为光刻版的成像平面和胶平面没有平行，或者成像平面和胶平面偏离太大，进而造成图形颜色异常，图形模糊，甚至连条断裂。边缘聚焦即是发生在晶片边缘不完整区域的聚焦。

边缘聚焦的一般处理方式为：对曝光工艺进行返工，而返工不仅浪费时间和财力，还有可能对晶片上其他正常管芯造成损伤，进而影响半导体器件的设备产能。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种曝光方法，该方法能够减少或避免边缘聚焦现象的发生，进而提高半导体器件的设备产能。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种曝光方法，该方法包括：

步骤A：判断曝光区域的中心是否在晶片上，如果是，则执行步骤B；如果否，则执行步骤C；

步骤B：判断曝光区域的中心是否在晶片边缘的预设宽度范围内，如果是，则执行步骤C；如果否，则执行步骤D；

步骤C：对所述曝光区域采用漂移聚焦形式进行曝光；

步骤D：对所述曝光区域采用自动聚焦形式进行曝光。

优选的，上述曝光方法中，所述预设宽度不小于去边宽度与光束长度一半之和。

优选的，上述曝光方法中，所述预设宽度不小于去边宽度与光束对角线长度一半之和。

优选的，上述曝光方法中，所述去边宽度为3mm。

优选的，上述曝光方法中，所述光束长度为2mm。

优选的，上述曝光方法中，所述光束对角线长度为2mm。

优选的，上述曝光方法中，所述预设宽度为4mm。

优选的，本发明所提供的方法中，所述步骤C具体为：

将对该曝光区域进行曝光的光束中心沿水平方向移动至能够实现自动聚焦的区域进行曝光。

优选的，本发明所提供的方法中，所述步骤C具体为：

将对该曝光区域进行曝光的光束中心沿对角方向移动至能够实现自动聚焦的区域进行曝光。

从上述技术方案可以看出，本发明所提供的方法首先判断曝光区域的中心是否在晶片上，当所述曝光区域的中心不在晶片上时，采用漂移聚焦形式对该区域进行曝光；当所述曝光区域的中心在晶片上时，进一步判断该曝光区域的中心是否在晶片边缘的预设宽度范围内，当所述曝光区域的中心落入所述预设宽度范围内时，采用漂移聚焦形式对该区域进行曝光；当所述曝光区域的中心落入所述预设宽度范围之外时，采用自动聚焦形式对该区域进行曝光。由于所述预设宽度范围内至少有宽度为光束长度(或光束对角线长度)一半的环形区域上覆盖有光刻胶，因此，当所述曝光区域的中心(即光束中心)由晶片中心方向接近预设宽度范围时，能够保证光束全部处于光刻胶上，从而可采用自动聚焦形式对该曝光区域进行曝光，避免了边缘聚焦现象的发生；对于曝光区域的中心位于预设宽度范围内或晶片外的情况，采用漂移聚焦形式对该区域进行曝光，也解决了晶片边缘易于聚焦的问题。因此，本发明所提供的方法能够有效地减少或避免曝光工艺中边缘聚焦现象的发生，减少返工率，利于提高半导体器件的设备产能。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例所提供的一种曝光方法流程图示意图；

图2为本发明实施例所提供的晶片上一个曝光区域的位置示意图；

图3为现有技术中NIKON曝光机自动聚焦和自动调平对晶片不同曝光区域的影响示意图；

图4为图3所对应的晶片结构示意图；

图5为本发明实施例所提供的一个曝光区域的结构示意图；

图6为现有技术中晶片上两个曝光区域的位置示意图；

图7为本发明实施例所提供的一种漂移聚焦的具体实现方式；

图8为本发明实施例所提供的另一种漂移聚焦的具体实现方式。

具体实施方式