[发明专利]三维集成电路结构有效
| 申请号： | 201010575666.1 | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102347316A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 罗明健;吴国雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L25/065;H01L23/48;H01L23/52;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三维集成电路 结构 | ||
1.一种三维集成电路结构，其特征在于，包含：
至少一第一晶粒与一第二晶粒，其中该第一晶粒与该第二晶粒均具有至少一电源穿透硅介层窗以及一信号穿透硅介层窗，该第一晶粒的该电源穿透硅介层窗以及该信号穿透硅介层窗分别连接至该第二晶粒的该电源穿透硅介层窗以及该信号穿透硅介层窗；
一或多个第一外围穿透硅介层窗结构，邻近地设置在该第一晶粒及/或该第二晶粒的一或多个侧边，其中该或该些第一外围穿透硅介层窗结构是设置以环绕该第一晶粒及/或该第二晶粒；以及
一中介层，设置在该第一晶粒与该第二晶粒之间。
2.根据权利要求1所述的三维集成电路结构，其特征在于，该或该些第一外围穿透硅介层窗结构提供电源。
3.根据权利要求1所述的三维集成电路结构，其特征在于，该或该些第一外围穿透硅介层窗结构提供信号。
4.根据权利要求1所述的三维集成电路结构，其特征在于，该或该些第一外围穿透硅介层窗结构至少提供电源及信号。
5.根据权利要求1所述的三维集成电路结构，其特征在于，还包含一第三晶粒，其中该第三晶粒具有至少一电源穿透硅介层窗以及一信号穿透硅介层窗，该第三晶粒的该电源穿透硅介层窗以及该信号穿透硅介层窗分别连接至该第一晶粒及/或该第二晶粒的该电源穿透硅介层窗以及该信号穿透硅介层窗。
6.一种三维集成电路结构，其特征在于，包含：
一第一晶粒，具有至少一电源穿透硅介层窗以及一信号穿透硅介层窗，其中该第一晶粒是由多个外围穿透硅介层窗结构所环绕；
一第二晶粒，具有至少一电源穿透硅介层窗以及一信号穿透硅介层窗，其中该第二晶粒是由多个外围穿透硅介层窗结构所环绕；
一第三晶粒，具有至少一电源穿透硅介层窗以及一信号穿透硅介层窗，其中该第二晶粒是由多个外围穿透硅介层窗结构所环绕，该些外围穿透硅介层窗结构提供电源或信号；以及
一中介层，设置在该第一晶粒与该第二晶粒之间。
7.根据权利要求6所述的三维集成电路结构，其特征在于，该些外围穿透硅介层窗结构至少提供电源与信号。
8.一种三维集成电路结构，其特征在于，包含：
一第一晶粒，具有至少一电源穿透硅介层窗以及一信号穿透硅介层窗；
一个或多个外围穿透硅介层窗结构，邻近地设置在该第一晶粒的一个或多个侧边，其中该或该些外围穿透硅介层窗结构是设置以环绕该第一晶粒；
一第二晶粒；
一第三晶粒，具有至少一电源穿透硅介层窗以及一信号穿透硅介层窗；以及
一中介层，设置在该第二晶粒与该第三晶粒之间。
9.根据权利要求8所述的三维集成电路结构，其特征在于，该或该些外围穿透硅介层窗结构提供电源及/或信号。
10.根据权利要求8所述的三维集成电路结构，其特征在于，该或该些外围穿透硅介层窗结构至少提供电源及信号。
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