[发明专利]在磷化铟衬底上制备T型栅的方法

权利要求书

1.一种在磷化铟衬底上制备T型栅的方法，其特征在于，包括步骤如下：

A、清洗磷化铟衬底外延片，在真空烘箱内将六甲基二硅氨烷HMDS蒸发在清洗后的外延片上；

B、在上述外延片上匀第一层电子束胶PMGI，然后前烘；

C、在上述第一层电子束胶PMGI上匀第二层电子束胶ZEP520A，然后前烘；

D、在上述第二层电子束胶ZEP520A上匀第三层电子束胶PMGI，然后前烘；

E、在上述第三层电子束胶上匀第四层电子束胶PMMA，然后前烘；

F、将上述匀有四层束胶层的外延片进行电子束曝光；

G、对上述曝光处理后的外延片的各层依次进行显影；

H、对上述显影后的外延片进行腐蚀栅槽，蒸发栅金属并剥离，即形成晶体管T型纳米栅。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤A所述清洗外延片的步骤包括：

先用丙酮冲洗，再用乙醇冲洗，然后用去离子水冲洗，如此反复至少7次，最后用氮气吹干。

3.根据权利要求1所述的在磷化铟衬底上制备T型栅的方法，其特征在于：

所述步骤A清洗后的外延片在120度的真空烘箱处理。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述步骤B中所述第一层电子束胶PMGI前烘条件为在180度烘箱中烘6分钟，前烘后厚度为400埃。

5.根据权利要求1所述的在磷化铟衬底上制备T型栅的方法，其特征在于：

步骤C中所述第二层电子束胶ZEP520A前烘条件为在180度烘箱中烘30分钟，前烘后的典型厚度为500埃。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

步骤D中所述第三层电子束胶PMGI前烘条件为在180度烘箱中烘6分钟，前烘后的厚度典型值为5500埃。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

步骤E中所述第四层电子束胶PMMA前烘条件为在180度烘箱中烘30分钟， 前烘的厚度典型值为2500埃。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

步骤F中所述电子束曝光的条件为：曝光剂量1000μC/cm²，电子束加速电压：100kV。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤G中各层依次进行显影条件为：

所述第四层PMMA在体积比为3∶1的四甲基乙戊酮MIBK和异丙醇显影液中显影20分钟，在IPA中定影30秒，在60度烘箱中后烘6分钟；

所述第三层PMGI在体积比为1∶41的体积比为10％的四甲基氢氧化氨TAHM和H₂O显影液中显影1分钟，在H₂O中定影30秒，在60度烘箱中后烘6分钟；

所述第二层ZEP520A在乙酸丁脂ZED-N50显影液中显影5秒钟，在四甲基乙戊酮MIBK中定影15秒，在60度烘箱中后烘6分钟；

所述第一层PMGI在在体积比为1∶41的体积比为10％的四甲基氢氧化氨TAHM和H₂O显影液中显影20秒，在H₂O中定影30秒，在60度烘箱中后烘6分钟。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述步骤H中所述腐蚀栅槽包括：对于帽层/腐蚀截止层为铟镓砷InGaAs/磷化铟InP的材料，采用体积比为1∶1的柠檬酸和双氧水的溶液进行腐蚀。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述步骤H中蒸发的栅金属由外延片表面向上依次为钛Ti/铂Pt/金Au，其厚度的典型值分别为