[发明专利]半导体元件的制备方法无效
| 申请号： | 201010578074.5 | 申请日： | 2010-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102543732A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 余军;蔡建祥;顾勇;陈清 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制备 方法 | ||
1.一种半导体元件的制备方法，其特征在于：其包括步骤：
步骤一：制备多晶硅栅极并沉积适当厚度的层间介质层(ILD，Interlayer Dielectric)；该多晶硅栅极包括位于下层的浮栅(FG，Floating Gate)、中间层的氧化物-氮化物-氧化物(ONO)及位于上层的控制栅(CG，Control Gate)；
步骤二：利用化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)将层间介质层磨平并停止在控制栅多晶硅表面；
步骤三：将控制栅的多晶硅通过刻蚀的方法去除；
步骤四：在除去了控制栅多晶硅的晶圆上沉积金属层。
2.如权利要求1所述的半导体元件的制备方法，其特征在于，还包括步骤五：利用化学机械抛光工艺将沉积的金属层磨平并停留在层间介质层表面。
3.如权利要求2所述的半导体元件的制备方法，其特征在于，使用对氧化物选择比高的湿法刻蚀方法将控制栅的多晶硅完全去除。
4.如权利要求3所述的半导体元件的制备方法，其特征在于，在除去了控制栅多晶硅的晶圆上沉积填充能力(gap fill)好的金属层。
5.如权利要求1所述的半导体元件的制备方法，其特征在于，所述步骤一中化学机械抛光为过抛光(over-polish)，让控制栅多晶硅表面略高于层间介质层。
6.如权利要求1所述的半导体元件的制备方法，其特征在于，所述步骤四中金属层将控制栅多晶硅被去除后的空间完全填满并高于层间介质层。
7.如权利要求2所述的半导体元件的制备方法，其特征在于，所述步骤五中为了防止控制栅线之间的桥连，所述化学机械抛光工艺为过抛光(over-polish)，使得金属层略低于层间介质层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
