[发明专利]改善晶圆边缘显影效果的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种改善晶圆边缘显影效果的方法，涉及半导体生产工艺。

背景技术

晶圆制造流程中的图片边缘工艺往往因为前层工艺的影响，使得晶圆边缘显影能力不够造成边缘缺失。而前层的影响主要来自于衬底的不平坦和形貌的不稳定。图片边缘之前的最后一道工序是IMD-CMP，而IMD-CMP后的表面形貌是变换不定的。影响图片边缘曝光显影效果的重要参数项是焦距，而图片在现有工艺中的焦距条件是固定不变的。对于变化的表面形貌，图片边缘无法保持始终一致并且最佳的曝光显影效果，当遇到前层衬底表面形貌和图片的条件不匹配的时候，就会造成局部显影失效，出现边缘缺失。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明解决的技术问题是提供一种改善晶圆边缘显影效果的方法，提出了一种可以提高图片边缘窗口，消除晶圆边缘缺失的新方法。

本发明的目的通过提供以下技术方案实现：

一种改善晶圆边缘显影效果的方法，其中，包括以下步骤：

首先，将晶圆表面形貌和光刻条件参数相关联；

其次，借助计算机系统，自动选取和所述表面形貌相匹配的光刻条件；

再次，曝光所述晶圆。

进一步地，所述光刻条件为光刻焦距。

在所述晶圆表面相对较厚的部分，选取更负的焦距；在所述晶圆表面相对较薄的部分，选取更正的焦距。

再进一步地，先所述将晶圆经过CMP或CVD工序，再将所述晶圆表面形貌和光刻条件参数相关联。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：使晶圆各部分都能得到最佳的瀑光显影效果，消除晶圆边缘或其它局部的边缘缺失。

附图说明

下面结合附图对本发明作进一步说明：

图1为本发明测量图片的示意图。

具体实施方式

以下参照附图说明本发明的最佳实施方式。

本发明针对以上问题，通过前后工序的关联，提出了一种解决图片边缘缺失的方法。即在IMD-CMP之后测量每批产品的边缘厚度，如图1所示，计算机将其形貌自动进行分类，在本发明最佳实施方式中，计算机将其形貌分为3类，第一类100，在x方向突出图片的；第二类200，在y方向突出图片的；第三类300，在图片内，靠近图片边缘的。

针对每一类的表面边缘形貌，计算机自动调用一种最匹配的边缘图片条件，即给晶圆边缘增加或减小焦距(在晶圆边缘相对较厚的部分调用更负的焦距，在晶圆边缘相对较薄的部分调用更正的焦距)，使每批产品在最合适的边缘光刻条件下，得到最佳的瀑光显影效果，从而可以消除晶圆边缘(或其他局部)的边缘缺失。

本发明的关键点在于：将IMD-CMP后的表面形貌和光刻条件相关联，优选地，所述光刻条件为光刻焦距，并借助计算机系统，自动选取和CMP实际形貌相匹配的光刻条件，即实现了及时变化的图片条件，从而使每一批晶圆产品在曝光时都能获得最佳的曝光显影效果，局部边缘缺失得以消除。

值得一提的是：该方法可以应用到晶圆制造中的各个图片工序，不一定是CMP之后，也可以是CVD之后；另外，图片的可变参数也可以扩展到焦距以外的其它参数。

尽管为示例目的，已经公开了本发明的优选实施方式，但是本领域的普通技术人员将意识到，在不脱离由所附的权利要求书公开的本发明的范围和精神的情况下，各种改进、增加以及取代是可能的。