[发明专利]双频合路装置无效
申请号: | 201010579197.0 | 申请日: | 2010-12-08 |
公开(公告)号: | CN102025013A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 林城兆 | 申请(专利权)人: | 深圳市华思科技股份有限公司 |
主分类号: | H01P1/213 | 分类号: | H01P1/213 |
代理公司: | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人: | 张明 |
地址: | 518000 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 双频 装置 | ||
技术领域
本发明涉及通信技术领域,特别是涉及双频合路装置。
背景技术
在通信系统中,合路器主要用作将多系统信号合路到一套室内分布系统。比如在工程应用中,需要将800MHZ的C网和900MHz的G网两种频率合路输出。采用以上的合路器,可使一套室内分布系统同时工作于CDMA频段和GSM频段。又如在无线电天线系统中,将几种不同频段(如145MHZ与435MHZ)的输入输出信号通过合路器合路后,用一根馈线与电台连接,这不仅可节约一根馈线,还可避免切换不同天线的麻烦。
参照图1所示的原理图,是现有技术一种合路器是三端口微波器件,包括直流馈电通路和射频信号通路,其中:直流馈电通路由集总参数低通滤波器、开关和放电管等防雷器件组成,射频信号通路为带通滤波器,用于抑制高频射频信号,以让一定频率(如2.176MHz)的控制信号顺利通过,开关用于选择是否需要直流电通过;射频信号通路由电容和带通滤波器组成,各条射频信号通路中的带通滤波器的通带范围适应所合路的各路信号的频率范围设置。工作时,从公共端口Port1输入的信号根据频率范围分路到端口Port2和端口Port3,相反,也可将从端口Port2和Port3输入的信号经端口Port1合路输出。
随着3G通信技术在人们生活应用越来越广泛,通信技术领域中的3G应用也越来越多,然而,现有技术并未公开种类足够的、性能满足要求的可用于3G通信的合路器。有些多频合路器可将多种不同信号复合在一起,然后却成本较高、价格昂贵、制造效率低。
虽然有相关公开介绍简化多网覆盖时通讯设备的安装、降低设备成本的专利技术。但是,目前通信技术的发展仍然需要更多符合特别需要、成本更低的合路器,需要继续不断地提高和丰富相关技术。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种可满足通信的市场要求、结构简单、性能高、成本低的双频合路装置。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种双频合路装置,所述合路装置包括腔体、盖板以及若干谐振杆;所述腔体外侧壁分别设置有第一信号输入端口、第二信号输入端口以及输出端口;所述腔体包括并排的第一通道和第二通道,所述第一、二通道均为直线槽型,并在一端处相通,所述输出端口对应所述第一、二通道的相通处设置,第一信号输入端口、第二信号输入端口分别设置于第一通道的另一端和第二通道的另一端;所述若干谐振杆包括一块薄圆环、两根第二谐振杆、六根第三谐振杆以及三根第四谐振杆;全部所述薄圆环、第二、四谐振杆均位于第一通道内,全部所述第三谐振杆均位于第二通道内,第一通道内的谐振杆自第一信号输入端口至输出端口的排列顺序为:第二谐振杆、第四谐振杆、第四谐振杆、第二谐振杆、第四谐振杆,所述薄圆环设于中间的第四谐振杆顶端,形成所述第四谐振杆顶端水平外展的帽沿结构;邻近第一信号输入端口的所述第二谐振杆通过导体与第一信号输入端口耦合,邻近输出端口的第四谐振杆通过导体与输出接口耦合,邻近第二信号输入端口的所述第三谐振杆通过导体与第二信号输入端口耦合,邻近输出端口的第三谐振杆通过导体与输出接口耦合;第一通道中的所有谐振杆沿第一通道中轴线排成一直线,第二通道中的所有谐振杆沿第二通道中轴线排成一直线;所述盖板盖设于第一通道和第二通道上方,其上设有伸入每根谐振杆内孔的调节杆;所述第一信号输入端口与第二谐振杆之间的导体依次通过金属针和金属套接所述第一信号输入端口,所述第二信号输入端口与第三谐振杆之间的导体依次通过金属片和介质块接所述第二信号输入端口。
其中,所述金属片是镀银铜片,所述金属针是锡磷青铜针,所述金属套是镀银铜套。
其中,所述铜套是一端封闭一端开口的镀银铜管,封闭的一端接所述导体,开口的一端接第一信号输入端口;所述介质块是一端封闭一端开口的镀银铜管,封闭的一端接所述镀银铜片,开口的一端接第二信号输入端口。
其中,所述合路装置腔体长宽高为:196.5×105×48mm,所述第一通道和第二通道的长度均为186.5mm,所述第一通道宽41mm,深30mm,所述第二通道深42mm;所述第一信号输入端口和第二信号输入端口相距50mm,并且第二信号输入端口距离腔体邻近边30mm处,所述第一信号输入端口和第二信号输入端口均距离腔体上沿18mm;所述输出端口距离腔体该边52.5mm处,并且距离腔体底部18mm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华思科技股份有限公司,未经深圳市华思科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010579197.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:切削工具用多层硬膜
- 下一篇:气化器及使用该气化器的成膜装置