[发明专利]重构晶片的组装

权利要求书

1.一种电子元件封装件，包括：

电子元件(1)，所述电子元件具有电路表面；

树脂块(3)，所述树脂块部分地包围所述电子元件；以及

多层互连件(6)，所述多层互连件与所述电路表面接触，

其中，所述多层互连件(6)连接到间距小于50μm的多个接合焊盘，并且所述树脂块(3)由注塑成型的树脂制成。

2.根据权利要求1所述的电子元件封装件，其中，所述多层互连件的厚度在20μm与30μm之间。

3.根据权利要求1所述的电子元件封装件，其中，所述多层互连件是薄膜结构。

4.根据权利要求1所述的电子元件封装件，其中，所述电子元件是半导体。

5.根据权利要求1所述的电子元件封装件，具有锡球(11)。

6.一种电子设备，包括根据权利要求1所述的电子元件封装件。

7.一种制造电子元件封装件的工艺，包括以下步骤：

提供第一多个电子元件(2)，每个所述电子元件均具有有源表面，并保持在模制的树脂块(31)中并且置于第一载体(20)上，

通过切割所述电子元件之间的树脂，将多个所述电子元件分为各个单元，

移除所述第一载体，

将第二多个所述各个单元定位在第二载体(30)上，以及

在所述第二多个各个单元的所述有源表面上形成互连层(32)。

8.根据权利要求7所述的工艺，还包括在将多个所述电子元件分为各个单元的步骤之前将第一介电层置于所述有源表面上的步骤。

9.根据权利要求8所述的工艺，还包括在将多个所述电子元件分为各个单元的步骤之前将籽晶层置于所述介电层上的步骤。

10.根据权利要求7所述的工艺，其中，所述第一载体是与用于条带模制球栅阵列封装件的设备兼容的格式。

11.根据权利要求7所述的工艺，其中，所述第二载体具有与硅晶片处理设备兼容的晶片的形式。

12.根据权利要求11所述的工艺，其中，所述第二载体具有300mm晶片的形式。

13.根据权利要求7所述的工艺，其中，形成互连层的步骤使用薄膜技术。

14.根据权利要求7所述的工艺，还包括步骤：形成部分地覆盖所述互连层的钝化层。