[发明专利]重构晶片的组装无效
申请号: | 201010579709.3 | 申请日: | 2010-12-06 |
公开(公告)号: | CN102104030A | 公开(公告)日: | 2011-06-22 |
发明(设计)人: | 朱利安·卫图 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(格勒诺布尔)公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/60 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华;钟锦舜 |
地址: | 法国格*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 组装 | ||
技术领域
本发明涉及用于电子元件的封装件,具体地但不排它地涉及半导体元件的封装件。
背景技术
很多元件以球栅阵列封装方式被封装,其中,在半导体的情况下,芯片(die)置于衬底上,衬底提供芯片上的接触点与外界之间的连接。
该衬底具有相关材料的成本以及约为200μm的最小厚度。
人们总是期望减小电子元件的尺寸并降低电子元件的成本。
在以下的描述以及附图中,相同元件由相同的附图标记指示。
图1以截面来表示根据球栅阵列(BGA)封装领域中的最近发展情况的封装件。
在封装好的电子元件1中,芯片2部分地被树脂块3包围。芯片2具有无树脂的有源表面4,并且在有源表面4上是接合焊盘5。多层互连件6包括介电层601、导电孔602以及导电轨道603,多层互连件6附连到有源表面3。典型地,钝化层604用于保护导电轨道603。
多层互连件6提供了接合焊盘5与锡球11之间的连接。锡球11可以由任何其它合适的连接(例如锡膏接合焊盘)所替代。为清楚起见,仅示出一层导电轨道603和导电孔602,但可以使用多层。
图1的封装件不再使用衬底,因而节省了相关成本。由于所述多层互连件远薄于等效衬底,因此封装高度减小。
期望提供一种用于制造这种封装的工艺流程,该封装相对于传统封装而言不会通过增加其它材料或处理步骤的成本而使得从材料成本的获益减少。还期望获得至少与传统封装同样多的引脚数量。
发明内容
在此描述的实施例通过提供一种电子元件封装件来解决这种需求,该电子元件封装件包括:电子元件,其具有电路表面;树脂块,其部分环绕所述电子元件;以及多层互连件,其与所述电路表面接触。所述多层互连件连接到间距小于50μm的多个接合焊盘,并且所述树脂块由注塑成型树脂制成。
根据实施例,所述多层互连件的厚度不大于30μm。
根据实施例,所述多层互连件是薄膜结构。
根据实施例,所述电子元件是半导体。
根据实施例,所述电子元件封装件具有锡球。
提供一种电子设备,其包括根据实施例的电子元件封装件。
还提供一种制造所述电子元件封装件的工艺,该工艺包括以下步骤:
提供第一多个电子元件,每个电子元件均具有有源表面,并保持在模制后的树脂块中并且置于第一载体上,
通过切割电子元件之间的树脂将多个电子元件分为各个单元,
移除所述第一载体,
将第二多个所述各个单元定位在第二载体上,以及
在第二多个有源表面上形成互连层。
根据实施例,在将多个电子元件分为各个单元的步骤之前,所述工艺还包括步骤:将第一介电层置于有源表面上。
根据实施例,在将多个电子元件分为各个单元的步骤之前,所述工艺还包括步骤:将籽晶层置于所述介电层上。
根据实施例,所述工艺使用第一载体,第一载体是与采用条带模制球栅阵列(strip-molding ball-grid array)封装的设备兼容的格式。
根据实施例,所述工艺使用第二载体,第二载体具有与硅晶片处理设备兼容的晶片的形式。
根据实施例,所述工艺使用第二载体,第二载体具有300mm晶片的形式。
根据实施例,形成互连层的工艺步骤使用薄膜技术。
根据实施例,所述工艺还包括步骤:形成部分覆盖互连层的钝化层。
附图说明
通过参照附图的说明以及不限于附图给出的实施例的以下详细描述,本发明的前述和其它目的、特征、方面和优点将变得清楚,其中:
图1表示电子元件封装件的截面;
图2表示用于制造类似于图1的封装件的组装流程;
图3a和图3b表示根据实施例的组装流程;
图4表示图3a所示的流程中使用的载体的平面图;
图5表示图3b所示的流程中使用的载体的平面图;以及
图6表示包括根据实施例的封装形式的电子元件的设备。
具体实施方式
在以下描述中,已经描述过的特征将不再进一步详细地描述。
图2以截面图的方式表示用于制造图1的封装的可能工艺流程。
在步骤S21中,芯片2通过有源表面4置于下方的载体20上。载体20具有类似于硅晶片的圆形形式,并且尺寸与硅晶片处理设备兼容。
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