[发明专利]光电转换器件

权利要求书

1.一种光电转换器件，包括：

多个光电转换区域；

层间绝缘膜，所述层间绝缘膜被布置在所述多个光电转换区域上；

保护绝缘膜，所述保护绝缘膜被布置为与所述层间绝缘膜接触并且具有与所述层间绝缘膜的折射率不同的折射率；

凹陷，所述凹陷被布置在所述多个光电转换区域中的每一个的受光表面中；以及

埋入区域，所述埋入区域被埋入所述凹陷中，

其中，当对于所述多个光电转换区域中的每一个的入射光的波长由λ表示并且所述埋入区域的折射率由n表示时，所述凹陷的深度d由表达式d≥λ/4n表示。

2.根据权利要求1的光电转换器件，还包括：

抗反射膜，所述抗反射膜被布置在所述多个光电转换区域中的每一个的受光表面和所述凹陷的表面上，并且具有比所述层间绝缘膜的折射率高的折射率。

3.根据权利要求1的光电转换器件，其中，所述埋入区域包含第一绝缘膜和第二绝缘膜，所述第二绝缘膜被布置为与所述第一绝缘膜接触并具有比所述第一绝缘膜的折射率高的折射率。

4.根据权利要求1的光电转换器件，其中，所述凹陷和所述埋入区域由硅的局部氧化LOCOS方法形成。

5.根据权利要求1的光电转换器件，其中，所述多个光电转换区域中的每一个通过包含第一半导体区域和第二半导体区域来被配置，所述第二半导体区域与所述第一半导体区域一起形成PN结，

其中，所述第二半导体区域与读出电路电连接，以及

其中，所述凹陷被所述第一半导体区域包围。

6.根据权利要求1～5中的任一项的光电转换器件，其中，用一定的间距、以重复的图案布置所述凹陷。

7.根据权利要求6的光电转换器件，其中，所述凹陷的深度d在λ/4n≤d≤λ的范围中。

8.根据权利要求6的光电转换器件，还包括：

滤色器，所述滤色器与所述多个光电转换区域中的每一个对应，

其中，入射光的波长是通过所述滤色器的光的峰值波长。

9.根据权利要求8的光电转换器件，其中，所述滤色器具有Bayer图案，并且，入射光的波长是通过蓝色滤色器的光的峰值波长。

10.一种用于可见光的光电转换器件，包括：

多个光电转换区域，所述多个光电转换区域被布置在硅基板上；

硅氧化物膜，所述硅氧化物膜被布置在所述多个光电转换区域上；

保护绝缘膜，所述保护绝缘膜被布置为与所述硅氧化物膜接触并且具有与所述硅氧化物膜的折射率不同的折射率；

凹陷，所述被布置在所述多个光电转换区域中的每一个的受光表面中；以及

硅氧化物埋入区域，所述硅氧化物埋入区域被埋入所述凹陷中，

其中，所述凹陷的深度d在0.06≤d≤0.15μm的范围中。