[发明专利]一种嵌入式闪存及其制造方法

权利要求书

1.一种嵌入式闪存，包括闪存单元和外围金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET单元，闪存单元为两层多晶硅栅结构，其侧壁上具有绝缘的隔离物；外围MOSFET单元为单层多晶硅栅结构，其侧壁上也具有绝缘的隔离物，其特征在于，闪存单元的侧壁隔离物的宽度大于外围MOSFET单元的侧壁隔离物的宽度。

2.一种制造权利要求1所述的嵌入式闪存的方法，其特征在于，包括：

步骤1：提供衬底，在其上形成场区以隔离有源器件，并在有源区分别形成闪存单元的沟道和外围MOSFET单元的沟道；

步骤2：在闪存单元的沟道之上和外围MOSFET单元的沟道之上分别形成两层结构的内存单元的栅极和单层结构的外围MOSFET单元的栅极；

步骤3：在闪存单元的栅极和外围MOSFET单元的栅极上形成绝缘的隔离物；

步骤4：对闪存单元的栅极上的隔离物和外围MOSFET单元的栅极上的隔离物进行各向异性蚀刻，使得最终保留的闪存单元的侧壁隔离物的宽度大于外围MOSFET单元的侧壁隔离物的宽度；

步骤5：通过掩模和植入步骤以及热处理步骤，形成闪存单元的源漏极和外围MOSFET单元的源漏极。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤1中形成场区的方法为浅沟槽隔离技术或者为区域硅氧化隔离技术。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤1中形成的闪存单元的沟道为n型或p型，形成的外围MOSFET单元的沟道为包括n沟道和p沟道的组合。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤2中对衬底进行轻掺杂漏极植入以及防止源漏穿通植入。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤3具体为：

利用四乙基正硅酸盐的方法沉积未掺杂的二氧化硅层，然后沉积氮化硅层。

7.根据权利要求2至6中任一权利要求所述的方法，其特征在于，步骤3中闪存单元的侧壁隔离物的宽度大于或等于外围MOSFET单元的侧壁隔离物的宽度。