[发明专利]光电元件及其制造方法

权利要求书

1.一种光电元件，包含：

基板，具有一表面，并具有一与该表面垂直的法线方向；

多个第一晶种柱，位于该基板的该表面上并与该表面接触，并裸露出部分该基板的该表面；

第一保护层，位于该第一晶种柱的侧壁及该基板的该裸露表面之上；

第一缓冲层，位于该多个第一晶种柱之上，其中该第一缓冲层具有一第一表面及一与该第一表面相对的第二表面，且该第一表面与该多个第一晶种柱直接接触；及

至少一第一孔洞结构，位于该多个第一晶种柱、该基板的该表面及该第一缓冲层的第一表面之间，其中，该至少一第一孔洞结构具有一宽度与一高度，其中该宽度为该第一孔洞结构于平行该表面方向的最大尺寸，该高度为该第一孔洞结构于平行该法线方向的最大尺寸，其中该高度与宽度的比值介于1/5～3。

2.一种光电元件，包含：

基板，具有一表面，并具有一与该表面垂直的法线方向；

多个第一晶种柱，位于该基板的该表面上并与该表面接触，并裸露出部分该基板的该表面；

第一保护层，位于该第一晶种柱的侧壁及该基板的该裸露表面之上；

第一缓冲层，位于该多个第一晶种柱之上，其中该第一缓冲层具有一第一表面及一与该第一表面相对的第二表面，且该第一表面与该多个第一晶种柱直接接触；及

至少一第一孔洞结构，位于该多个第一晶种柱、该基板的该表面及该第一缓冲层的第一表面之间，其中，该至少一第一孔洞结构具有一宽度与一高度，其中该宽度为该第一孔洞结构于平行该表面方向的最大尺寸，该高度为该第一孔洞结构于平行该法线方向的最大尺寸，其中该高度介于0.5μm～2μm，及/或该宽度介于50nm～600nm。

3.如权利要求1或2所述的光电元件，其中该光电元件包含多个该第一孔洞结构；其中该些第一孔洞结构可彼此独立；或可相互连结；或形成一个或多个网状第一孔洞群；或呈一规则阵列，且该些第一孔洞结构其平均间距介于孔隙度介于5％-90％。

4.如权利要求1或2所述的光电元件，还包含第一半导体层、有源层及第二半导体层形成于该第一缓冲层的第二表面之上。

5.如权利要求1或2所述的光电元件，还包含多个第二晶种柱，位于该第一缓冲层的第二表面之上，并裸露出部分该第二表面；

第二保护层，位于该第二晶种柱的侧壁及该第一缓冲层的该裸露第二表面之上；

第二缓冲层，位于该多个第二晶种柱之上，其中该第二缓冲层具有一第一表面及一与该第一表面相对的第二表面，且该第一表面与该多个第二晶种柱直接接触；及

至少一第二孔洞结构，位于该多个第二晶种柱、该第一缓冲层的该第二表面及该第二缓冲层的第一表面之间，且其中该第二孔洞结构的高度与宽度的比值介于1/5～3，或其中该高度介于0.5μm～2μm，及/或该宽度介于50nm～600nm，且其中该第一缓冲层或该第二缓冲层可为一非故意掺杂层或一未掺杂层或为一n型掺杂层。

6.如权利要求5所述的光电元件，其中该光电元件包含多个该第二孔洞结构；其中该些第二孔洞结构可彼此独立；或可相互连结；或形成一个或多个网状第二孔洞群；或呈一规则阵列，且该些第二孔洞结构其平均间距介于孔隙度介于5％-90％，且其中该第一孔洞的体积等于或大于该第二孔洞的体积。

7.如权利要求5所述的光电元件，其中该第一保护层或该第二保护层的材料可为SiO₂、HSQ(Hydrogen Silesquioxane)或MSQ(Methylsequioxane)等以Silsequioxane为基材的聚合物(Polymer)。