[发明专利]使用驱动电路的等离子体显示装置

权利要求书

1.一种驱动电路，包括：

第一和第二P沟道MOS晶体管，所述第一和第二P沟道MOS晶体管与第一电压相连接；

第一N沟道MOS晶体管，所述第一N沟道MOS晶体管被连接在所述第一P沟道MOS晶体管和低于第一电压的第二电压之间，并且具有被构造为接收第一输入信号的栅极，其中所述第二P沟道MOS晶体管的栅极与所述第一P沟道MOS晶体管和所述第一N沟道MOS晶体管之间的第一节点相连接；

第二N沟道MOS晶体管，所述第二N沟道MOS晶体管被连接在所述第二P沟道MOS晶体管和所述第二电压之间，并且具有被构造为接收第二输入信号的栅极，其中所述第一P沟道MOS晶体管的栅极与所述第二P沟道MOS晶体管和所述第二N沟道MOS晶体管之间的第二节点相连接；

输出P沟道MOS晶体管，所述输出P沟道MOS晶体管被连接在所述第一电压和输出节点之间，并且具有与所述第二节点相连接的栅极；

输出N沟道MOS晶体管，所述输出N沟道MOS晶体管被连接在所述输出节点和所述第二电压之间，并且具有被提供有极性与第一输入信号的极性相同的输入信号的栅极；以及

P沟道MOS晶体管，所述P沟道MOS晶体管具有与所述第一节点相连接的源极、与所述输出节点相连接的漏极、以及与所述第二节点相连接的栅极。

2.根据权利要求1所述的驱动电路，进一步包括：

低压控制部件，所述低压控制部件被构造为响应于输入信号生成所述第一和第二输入信号，

其中所述低压控制部件执行第一至第三模式，其中当输入信号处于第一电平时，第一和第二输入信号在第一模式下处于低电平和高电平；当输入信号处于与第一电平相反的第二电平时，第一和第二输入信号在第二模式下处于高电平和低电平；并且第一和第二输入信号在第三模式下处于低电平。

3.根据权利要求2所述的驱动电路，其中在当所述输入信号处于第一电平时，执行第一模式预定的时间段之后，所述低压控制部件执行第三模式。

4.根据权利要求3所述的驱动电路，其中所述预定的时间段是从当响应于高电平的第二输入信号导通所述第二N沟道MOS晶体管时到当所述输出节点的电压充分地接近高电平时。

5.一种等离子体显示装置，包括：

多个放电电极对，其中所述多个放电电极对中的每一对中的一个是保持电极并且另一个是扫描电极；

多个数据电极，所述多个数据电极被提供为与所述多个放电电极对相对，其中显示单元形成在所述多个放电电极对和所述多个数据电极的交叉处；

扫描驱动器，所述扫描驱动器被构造为驱动所述多个扫描电极；

保持驱动器，所述保持驱动器被构造为驱动所述多个保持电极；以及

数据驱动器，所述数据驱动器被构造为驱动所述多个数据电极，

其中所述数据驱动器包括：

输出控制部件，所述输出控制部件被构造为在地址时段中输出基于图像数据确定的数据脉冲信号；和

驱动电路，为所述多个数据电极中的每一个提供所述驱动电路，

其中所述驱动电路包括：

第一和第二P沟道MOS晶体管，所述第一和第二P沟道MOS晶体管与第一电压相连接；

第一N沟道MOS晶体管，所述第一N沟道MOS晶体管被连接在所述第一P沟道MOS晶体管和低于第一电压的第二电压之间，并且具有被构造为接收第一输入信号的栅极，其中所述第二P沟道MOS晶体管的栅极与所述第一P沟道MOS晶体管和所述第一N沟道MOS晶体管之间的第一节点相连接；

第二N沟道MOS晶体管，所述第二N沟道MOS晶体管被连接在所述第二P沟道MOS晶体管和所述第二电压之间，并且具有被构造为接收第二输入信号的栅极，其中所述第一P沟道MOS晶体管的栅极与所述第二P沟道MOS晶体管和所述第二N沟道MOS晶体管之间的第二节点相连接；

输出P沟道MOS晶体管，所述输出P沟道MOS晶体管被连接在所述第一电压和输出节点之间，并且具有与所述第二节点相连接的栅极；

输出N沟道MOS晶体管，所述输出N沟道MOS晶体管被连接在所述输出节点和所述第二电压之间，并且具有被提供有极性与第一输入信号的极性相同的输入信号的栅极；以及

P沟道MOS晶体管，所述P沟道MOS晶体管具有与所述第一节点相连接的源极、与所述输出节点相连接的漏极、以及与所述第二节点相连接的栅极，并且

其中基于作为输入信号的数据脉冲信号生成所述第一和第二输入信号。