[发明专利]厚膜电阻版图设计装置

权利要求书

1.厚膜电阻版图设计装置，包括输入装置、CPU、存储器和输出装置，其特征在于：

存储器中设有：

厚膜电阻版图设计数据库，它包括：

a、导体浆料端头效应曲线子数据库：钯银导体浆料端头效应曲线子数据库、金导体浆料端头效应曲线子数据库、铂银导体浆料端头效应曲线子数据库、银导体浆料端头效应曲线子数据库；

b、厚膜电阻浆料子数据库：在每个导体浆料端头效应曲线子数据库中，分别建立六个方阻的厚膜电阻浆料对应的导体端头效应曲线子数据库：六个方阻包括10Ω/□、100Ω/□、1kΩ/□、10kΩ/□、100kΩ/□、1MΩ/□；

c、电阻宽度子数据库：在每个厚膜电阻浆料子数据库中分别建立两个电阻宽度的端头效应曲线子数据库：包括1mm电阻宽度、1.5mm电阻宽度；根据相应导体浆料、相应方阻和相应电阻宽度的导体端头效应曲线中L、N对应关系，分别列表建立相应导体浆料、相应方阻和相应电阻宽度对应的全参数厚膜电阻版图设计数据库文件；

参数输入模块，包括：

a、端头导体材料选择模块，端头导体材料为：钯银导体、金导体、铂银导体、银导体；

b、电阻浆料方阻选择模块，电阻浆料的方阻为：10Ω/□、100Ω/□、1kΩ/□、10kΩ/□、100kΩ/□、1MΩ/□；

c、厚膜电阻宽度选择模块，厚膜电阻宽度为1mm、1.5mm；

d、厚膜电阻目标值选择模块，即输入所设计电阻目标值，按照标称值的90％计算；

功能运算模块，包括：

a、N·L的理论值计算模块：根据电阻计算公式R＝R□·N·(L/W)，导出公式N·L＝R·W/R□；

b、N·L值查找模块，从数据库中查询相应导体浆料、相应方阻和相应电阻宽度的对应的N·L值；

c、N·L值比较模块，将N·L理论值与数据库中查询的N·L实际值进行比较，读出误差在±1％范围内的N·L值，分别得出变化系数N和电阻设计长度值L；

d、电阻设计长度值输出模块，输出电阻设计长度值L。