[发明专利]厚膜电阻版图设计装置

说明书

技术领域：

本发明涉及厚膜集成电路版图设计技术领域，特别涉及用于厚膜集成电路版图电阻设计的装置。

背景技术：

厚膜电阻的衬底为陶瓷基片，陶瓷基片上设置的电阻两端电极为导体，电阻表面覆盖一层玻璃釉。根据厚膜电阻浆料生产厂家提供的厚膜电阻设计曲线图进行设计。厚膜电阻设计曲线图是在厚膜电阻宽度为1mm的情况下得出的，其中X轴为厚膜电阻长度，Y轴为变化系数N，具体见附图2。厚膜电阻设计计算公式：电阻值R＝R_□·N·(L/W)。方阻R_□是厚膜电阻在电阻干厚膜为25μm下的电阻率，N为变化系数，L为厚膜电阻长度，W为厚膜电阻宽度。根据电阻设计曲线图：当电阻宽度W＝1mm时，电阻长度L为1mm时，N值为1；电阻长度L为2mm时，N值约为1.4；电阻长度L为3mm时，N值约为1.6。

常规厚膜集成电路版图电阻设计技术存在以下问题：厚膜集成电路版图设计人员在使用电阻设计曲线时，因厚膜电阻存在端头效应可产生多种设计曲线，每个版图设计人员对这些电阻设计曲线中进行N取值时都有所不同，导致其设计出来的电阻长宽尺寸也会不一样，从而造成厚膜电阻在实际加工时电阻阻值产生偏差。要想使设计出来的电阻一致性好，就需要形成统一标准，本发明建立了一套电阻设计装置来规范设计。经查询，没有检索到与本发明相关的专利和文献。

发明内容：

本发明的目的就是针对现有的厚膜集成电路版图电阻存在的没有设计规范的缺点，提供的一种厚膜电阻版图设计装置以规范厚膜集成电路版图设计。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

一种厚膜电阻版图设计装置，包括输入装置、CPU、存储器和输出装置，其特征在于：

存储器中设有：

一、厚膜电阻版图设计数据库，它包括：

a、导体浆料端头效应曲线子数据库：钯银导体浆料端头效应曲线子数据库、金导体浆料端头效应曲线子数据库、铂银导体浆料端头效应曲线子数据库、银导体浆料端头效应曲线子数据库；

b、厚膜电阻浆料子数据库：在每个导体浆料端头效应曲线子数据库中，分别建立六个方阻的厚膜电阻浆料对应的导体端头效应曲线子数据库：六个方阻包括10Ω/□、100Ω/□、1kΩ/□、10kΩ/□、100kΩ/□、1MΩ/□；

c、电阻宽度子数据库：在每个厚膜电阻浆料子数据库中分别建立两个电阻宽度的端头效应曲线子数据库：包括1mm电阻宽度、1.5mm电阻宽度；每个电阻宽度子数据库根据相应导体浆料、相应方阻和相应电阻宽度的导体端头效应曲线中L、N对应关系，分别列表建立相应导体浆料、相应方阻和相应电阻宽度对应的全参数厚膜电阻版图设计数据库文件；

二、参数输入模块，包括：

a、端头导体材料选择模块，端头导体材料为：钯银导体、金导体、铂银导体、银导体；

b、电阻浆料方阻选择模块，电阻浆料的方阻为：10Ω/□、100Ω/□、1kΩ/□、10kΩ/□、100kΩ/□、1MΩ/□；

c、厚膜电阻宽度选择模块，厚膜电阻宽度为1mm、1.5mm；

d、厚膜电阻目标值选择模块，即输入所设计电阻目标值，按照标称值的90％计算；

三、功能运算模块，包括：

a、N·L的理论值计算模块：根据电阻计算公式R＝R□·N·(L/W)，导出公式N·L＝R·W/R□；

b、N·L值查找模块，从数据库中查询相应导体浆料、相应方阻和相应电阻宽度的对应的N·L值；

c、N·L值比较模块，将N·L理论值与数据库中查询的N·L实际值进行比较，读出误差在±1％范围内的N·L值，分别得出变化系数N和电阻设计长度值L；

d、电阻设计长度值输出模块，输出电阻设计长度值L。

本发明创造的优点在于能迅速得出各种厚膜电阻设计尺寸，削除电阻端头效应影响，同时解决因N取值不同而导致设计偏差，使厚膜电路版图设计技术水平得到提高。本发明达到的效果是保证了厚膜电阻在实际加工时阻值一致性，使同样阻值电阻在不同导体端头搭接时的电阻阻值之间偏差小于5％。

附图说明：

图1：厚膜电阻结构图；

图2：厚膜电阻设计曲线图；

图3、图4：杜邦公司1731型电阻浆料端头效应曲线图；

图5是本发明的基本硬件组成；

图6：厚膜电阻版图设计数据库结构框图；

图7：厚膜电阻版图设计装置及运行程序图。

具体实施方式：

一、确定厚膜电阻端头效应曲线