[发明专利]半导体组件

权利要求书

1.一种半导体组件，其特征在于，包含：

一半导体基板，包含一主动区；

一栅电极，位于该主动区的正上方上；以及

一栅接触窗插塞，位于该栅电极上，且电性耦合至该栅电极，其中该栅接触窗插塞包含至少一部分位于该主动区的正上方上且垂直重叠该主动区。

2.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，该栅电极作为一金属氧化物半导体组件的一栅极，其中该栅接触窗插塞位于该金属氧化物半导体组件的一通道区的正上方上。

3.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，该栅接触窗插塞的一第一部分位于该主动区的正上方上，且该栅接触窗插塞的一第二部分是位于该半导体基板中的一绝缘区的正上方上。

4.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，还包含一绝缘区位于该半导体基板中且邻接该主动区，其中该栅接触窗插塞的一第一部分位于该主动区的正上方上，该栅接触窗插塞的一第二部分位于该绝缘区的正上方上。

5.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，还包含：

一第一内层介电质，具有一上表面与该栅电极的一上表面齐平；

一接触蚀刻停止层，位于该第一内层介电质上；以及

一第二内层介电质，位于该接触蚀刻停止层上，其中该栅接触窗插塞包含一上部位于该第二内层介电质中、以及一下部位于该接触蚀刻停止层中。

6.一种半导体组件，其特征在于，包含：

一半导体基板，包含一第一主动区；

一第一浅沟槽隔离区，位于该半导体基板中且邻接于该第一主动区；以及

一第一金属氧化物半导体组件，包含：

一第一金属栅电极，位于该第一主动区的正上方上；

一第一源极/漏极区，位于第一主动区中且位于该第一金属栅电极的一侧上；以及

一第一栅接触窗插塞，位于该第一金属栅电极上且电性耦合至该第一金属栅电极，其中该第一金属栅接触窗插塞包含至少一部分位于该第一主动区的正上方上，且垂直重叠该第一主动区。

7.根据权利要求6所述的半导体组件，其特征在于，还包含：

一第一接触蚀刻停止层，位于该第一源极/漏极区上；

一第一内层介电质，位于该第一接触蚀刻停止层上，且具有一上表面与该第一金属栅电极的一上表面齐平；

一第二接触蚀刻停止层，位于该第一内层介电质与该第一接触蚀刻停止层上，且接触该第一内层介电质与该第一接触蚀刻停止层；以及

一第二内层介电质，位于该第二接触蚀刻停止层上，且接触该第二接触蚀刻停止层，其中该第一栅接触窗插塞包含一上部位于该第二内层介电质中、以及一下部位于该第二接触蚀刻停止层中。

8.根据权利要求6所述的半导体组件，其特征在于，该第一栅接触窗插塞的一第一部分位于该第一主动区的正上方上，且垂直重叠于该第一主动区，以及该第一栅接触窗插塞的一第二部分位于该第一浅沟槽隔离区的正上方上，且垂直重叠于该第一浅沟槽隔离区。

9.一种半导体组件，其特征在于，包含：

一半导体基板，包含一主动区；

一浅沟槽隔离区，位于该半导体基板中且邻接该主动区；

一金属氧化物半导体组件，包含：

一金属栅电极，位于该主动区的正上方上；

一源极/漏极区，位于该主动区中，且位于该金属栅电极的一侧；

一源极/漏极硅化区，位于该源极/漏极区上；以及

一栅接触窗插塞，位于该金属栅电极上，且电性耦合至该金属栅电极，其中该栅接触窗插塞位于该主动区的正上方上；

一第一接触蚀刻停止层，位于该源极/漏极硅化层上，且接触该源极/漏极硅化层；

一第一内层介电质，位于该第一接触蚀刻停止层上；

一第二接触蚀刻停止层，位于该第一内层介电质与该第一接触蚀刻停止层上，且接触该第一内层介电质与该第一接触蚀刻停止层；以及

一第二内层介电质，位于该第二接触蚀刻停止层且接触该第二接触蚀刻停止层，其中该栅接触窗插塞包含一上部位于该第二中间层介电质中、以及一下部位于该第二接触蚀刻停止层中。

10.根据权利要求9所述的半导体组件，其特征在于，还包含：

一附加浅沟槽隔离区，位于该半导体基板中；以及

一附加金属氧化物半导体组件，包含：

一附加主动区，位于该半导体基板中，且邻接该附加浅沟槽隔离区；

一附加栅电极，位于该附加主动区的正上方上；以及

一附加栅极接触窗插塞，位于该附加栅电极上，且电性耦合至该附加栅极电极上，其中整个该附加栅接触窗插塞位于该附加浅沟槽隔离区的正上方上。