[发明专利]种子层的蚀刻方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造的技术领域，具体地，涉及一种种子层的蚀刻方法。

背景技术

在一些电路板的制造过程中，在基板上设置金属布线时，为了提高基板与金属布线材料的结合力，在基板的表面溅射一层钛铜种子层，首先在基板上溅射一层钛层，由于钛的导电性比铜差太多，为了同时保证结合力及高导电性，通常的钛层只有几十个纳米的厚度，为了减少钛层钝化及增强钛铜种子层的导电性，再在钛层上溅射一层铜层。

在基板上完成电镀导电线路层与铜柱层之后，需要在没有保护的情况下使用快速蚀刻法将基板上非图形区域内多余的钛铜种子层蚀刻掉，而不影响基板的图形区域上的金属层。现有的印刷电路板(Printed Circuit Board，PCB)的制造行业，例如在无核(Coreless)封装基板产品的生产过程中，基板上金属线路的蚀刻方法一般是采用酸性的HCl/CuCl2溶液和碱性的NH3.H2O/NH4Cl溶液。对于这两种蚀刻溶液，由于蚀刻速度过大，导致蚀刻不均匀、不易控制，无法满足无核封装基板的要求。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种钛铜种子层的蚀刻方法，。

用于现有技术中蚀刻不均匀、不易控制的问题。

为此，本发明提供一种钛铜种子层的蚀刻方法，其中，包括：

步骤1、通过硫酸和双氧水的溶液蚀刻基板上钛铜种子层中的铜层；

步骤2、通过氢氟酸溶液蚀刻所述钛铜种子层中的钛层。

优选地，在本发明的各实施例中，在所述步骤1中还包括：

蚀刻基板上钛铜种子层中的铜层后，通过去离子水清洗所述基板上的残留液体。

优选地，在本发明的各实施例中，在所述步骤2中还包括：

蚀刻基板上钛铜种子层中的钛层后，通过去离子水清洗所述基板上的残留液体。

优选地，在本发明的各实施例中，所述步骤1中：

硫酸的浓度为20-50g/L，所述双氧水的浓度为9-17g/L，所述硫酸和双氧水的溶液的温度为21-25℃。

优选地，在本发明的各实施例中，所述步骤1中：

通过喷嘴向所述基板喷洒所述硫酸和双氧水的溶液，所述喷嘴的喷洒气压为1.4-2.0kg/cm²。

优选地，在本发明的各实施例中，所述步骤2中：

氢氟酸的浓度为0.5％-20％的氢氟酸溶液，所述氢氟酸溶液的温度为21-25℃。

优选地，在本发明的各实施例中，所述步骤2中：

通过喷嘴向所述基板喷洒所述氢氟酸溶液，所述喷嘴的喷洒压力为0.8-1.2kg/cm²。

本发明具有下述有益效果：

本发明钛铜种子层的蚀刻方法，通过硫酸和双氧水的溶液蚀刻去除钛铜种子层中的铜层，通过氢氟酸溶液蚀刻去除钛铜种子层中的钛层，蚀刻钛铜种子层的速度适中，可以使蚀刻过程容易控制均匀并且蚀刻均匀，有利于蚀刻厚度较小的钛铜种子层。

附图说明

图1为本发明提供的钛铜种子层的蚀刻方法第一实施例的流程图；

图2为本实施例中基板的结构示意图；

图3为本实施例中蚀刻铜层之后的基板的结构示意图；

图4为本实施例中蚀刻钛层之后的基板的结构示意图；

图5为本发明提供的钛铜种子层的蚀刻方法第二实施例的流程图；

图6为本发明提供的钛铜种子层的蚀刻方法第二实施例中工艺腔室的结构示意图。

具体实施方式

本发明提供一种钛铜种子层的蚀刻方法，其特征在于，包括：

步骤1、通过硫酸和双氧水的溶液蚀刻基板上钛铜种子层中的铜层；

步骤2、通过氢氟酸溶液蚀刻所述钛铜种子层中的钛层。

优选地，在本发明的各实施例中，在所述步骤1中还包括：

蚀刻基板上钛铜种子层中的铜层后，通过去离子水清洗所述基板上的残留液体。

优选地，在本发明的各实施例中，在所述步骤2中还包括：

蚀刻基板上钛铜种子层中的钛层后，通过去离子水清洗所述基板上的残留液体。

优选地，在本发明的各实施例中，所述步骤1中：

硫酸的浓度为20-50g/L，所述双氧水的浓度为9-17g/L，所述硫酸和双氧水的溶液的温度为21-25℃。

优选地，在本发明的各实施例中，所述步骤1中：

通过喷嘴向所述基板喷洒所述硫酸和双氧水的溶液，所述喷嘴的喷洒气压为1.4-2.0kg/cm²。