[发明专利]薄膜电阻器

权利要求书

1.一种形成半导体设备的方法，其包含：

在半导体基板上形成导电薄膜电阻器(TFR)层；

在所述TFR层上于多个第一位置处形成图案化保护层，其中所述图案化保护层不形成于多个第二位置处；

在所述TFR层上和所述图案化保护层上形成覆盖导电层；以及

在所述多个第一位置处和所述多个第二位置处蚀刻所述覆盖导电层以形成图案化导电层，其中所述TFR层向所述蚀刻后的导电层提供底层。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包含：

形成所述导电TFR层以作为覆盖层；

在所述覆盖TFR层上形成所述覆盖导电层；以及

在蚀刻所述覆盖导电层之后，在所述多个第二位置处蚀刻所述覆盖TFR层。

3.根据权利要求2所述的方法，进一步包含：

在于所述多个第二位置处蚀刻所述覆盖TFR层的过程中，于多个第三位置处蚀刻所述覆盖TFR层以从所述覆盖TFR层界定电容器底板。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在蚀刻所述覆盖导电层的过程中，所述保护层防止在所述多个第一位置处蚀刻所述TFR层。

5.根据权利要求1所述的方法，进一步包含：

对所述覆盖导电层的蚀刻向所述TFR层提供电阻器端盖；以及

所述TFR层和所述电阻器端盖形成电路电阻器。

6.根据权利要求5所述的方法，进一步包含：

移除所述TFR层的一部分以改变所述电路电阻器的电阻。

7.根据权利要求6所述的方法，其中对所述TFR层的所述部分的移除包含将激光束聚焦在所述TFR层上。

8.根据权利要求6所述的方法，其中对所述TFR层的所述部分的移除包含削刮所述TFR层的一侧或多侧以减小所述TFR层的宽度。

9.根据权利要求6所述的方法，其中对所述TFR层的所述部分的移除包含完全切断所述TFR层的宽度以形成开路。

10.根据权利要求6所述的方法，其中对所述TFR层的所述部分的移除包含通过所述TFR层施加电流或电压以提供电开路。

11.根据权利要求1所述的方法，进一步包含：

蚀刻所述覆盖导电层以向所述TFR层提供电阻器端盖；

从所述TFR层和所述电阻器端盖形成电路电阻器；以及

控制所述保护层的宽度以部分地确定所述电路电阻器的电阻。

12.一种形成半导体设备的方法，其包含：

在半导体基板上形成第一金属层；

图案化所述第一金属层以形成第一电阻器端盖和第二电阻器端盖；

在所述第一端盖和第二端盖上形成介电层；

蚀刻所述介电层以形成暴露所述第一端盖的第一接触开口和暴露所述第二端盖的第二接触开口；

在所述第一接触开口内形成第二金属层以形成与所述第一端盖电接触的第一通孔，并且在所述第二接触开口内形成第二金属层以形成与所述第二端盖电接触的第二通孔；

在半导体基板上形成导电薄膜电阻器(TFR)层以使所述第一通孔与所述第二通孔电接触；

在所述TFR层上于多个第一位置处形成图案化保护层，其中所述图案化保护层不形成于多个第二位置处；

在所述保护层上形成第三金属层；以及

在所述多个第二位置处蚀刻所述第三金属层和所述TFR层，其中所述图案化保护层防止蚀刻所述TFR层的部分。

13.根据权利要求12所述的方法，进一步包含：

从所述TFR层和所述电阻器端盖形成电路电阻器。

14.根据权利要求13所述的方法，进一步包含：

移除所述TFR层的一部分以改变所述电路电阻器的电阻。

15.根据权利要求14所述的方法，其中对所述TFR层的所述部分的移除包含将激光束聚焦在所述TFR层上。

16.根据权利要求14所述的方法，其中对所述TFR层的所述部分的移除包含削刮所述TFR层的一侧或多侧以减小所述TFR层的宽度。

17.根据权利要求14所述的方法，其中对所述TFR层的所述部分的移除包含完全切断所述TFR层的宽度以形成开路。