[发明专利]层压电子器件

权利要求书

1.一种制造层压电子器件的方法，包括：

提供载体，所述载体限定第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面，所述载体具有形成在所述第一主表面中的凹陷图案；

将第一半导体芯片附接在所述第一主表面和所述第二主表面中的一个上；

形成第一电绝缘层，所述第一电绝缘层覆盖所述载体的所述第一半导体芯片被附接在其上的主表面以及所述第一半导体芯片；以及

然后，沿所述凹陷图案将所述载体分隔成多个部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

提供载体包括：在所述载体的所述第一主表面中生成凹陷图案。

3.根据权利要求2所述的方法，其中：

所述凹陷图案通过蚀刻生成。

4.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述载体的分割通过蚀刻来进行。

5.根据权利要求4所述的方法，其中：

所述第一半导体芯片附接在所述第二主表面上；并且

仅仅蚀刻所述第一主表面的凹陷部分。

6.根据权利要求4所述的方法，其中：

所述第一半导体芯片附接在所述第二主表面上；并且

蚀刻所述第一主表面的凹陷部分和非凹陷部分。

7.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第一半导体芯片附接在所述第一主表面上。

8.根据权利要求7所述的方法，其中：

蚀刻所述第二主表面。

9.根据权利要求1所述的方法，包括：

通过在所述载体的所述第一半导体芯片被附接在其上的主表面上和所述第一半导体芯片上层压纤维加固的热固性树脂层或颗粒加固的热固性树脂层或者未填充的层压热固性树脂层或者填充的或未填充的热塑性树脂层，来形成所述第一绝缘层。

10.根据权利要求1所述的方法，包括：

在所述第一绝缘层上设置第一结构化金属层；以及

在所述第一半导体芯片的背离所述载体的上表面上形成从所述第一结构化金属层延伸至电极焊盘的至少第一贯通连接。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第一绝缘层上设置第一结构化金属层；以及

形成从所述第一结构化金属层延伸至所述载体的至少第二贯通连接。

12.根据权利要求1所述的方法，还包括：

通过在所述第一绝缘层上层压纤维加固的热固性树脂层或颗粒加固的热固性树脂层或者未填充的层压热固性树脂层或者填充的或未填充的热塑性树脂层，来形成第二绝缘层。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括：

在所述第二绝缘层上设置第二结构化金属层；以及

形成从所述第二结构化金属层延伸至所述载体的至少第三贯通连接。

14.根据权利要求1所述的方法，还包括：

将第二半导体芯片附接在所述载体的所述第一半导体芯片被附接其上的主表面上。

15.一种制造层压电子器件的方法，包括：

提供载体，所述载体限定了第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面；

将临时箔附接到所述载体的所述第一主表面；

将狭缝图案形成在所述载体中，所述狭缝从所述第一主表面延伸至所述第二主表面；

将第一半导体芯片附接在所述第二主表面上；

形成覆盖所述载体的所述第二主表面和所述第一半导体芯片的第一电绝缘层；以及

从所述载体中去除所述临时箔。

16.根据权利要求15所述的方法，其中：

将所述狭缝图案形成到所述载体中是通过蚀刻来进行的。

17.一种层压电子器件，包括：

载体，所述载体限定了第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面，所述载体具有从所述第一主表面延伸至所述第二主表面的狭缝图案，所述狭缝通过蚀刻形成；

第一半导体芯片，其附着在所述第一主表面和所述第二主表面中的一个上；以及

第一电绝缘层，其覆盖所述载体的所述第一半导体芯片被附接在其上的主表面和所述第一半导体芯片。