[发明专利]层压电子器件

说明书

技术领域

本发明涉及电子器件，更具体地，涉及将半导体部件嵌入到层压(laminate)中的技术。

背景技术

将半导体器件嵌入到层压中的技术已经被实现为具有前景的用于寻求最小化电子器件的尺寸、厚度、成本和重量的应用的技术。这种需求经常在诸如手机、膝上PC、掌上电脑、PDU(个人数字助理)等便携式应用中遇到，并且在诸如供电器件的很多其他电子应用中同样涉及。

近来，半导体芯片已经被直接嵌入到PCB(印刷电路板)以及SBU(顺序累积层)层压基板的累积层中。有前景的嵌入式有源技术应当有鉴于电路设计和路由能力而允许低的制造成本、高效和可靠的电连接方法以及高的多功能性。

由于这些和其他原因，存在对本发明的需求。

发明内容

本发明的目的是提供一种制造层压电子器件的方法，包括供载体，所述载体限定第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面，所述载体具有形成在所述第一主表面中的凹陷图案；将第一半导体芯片附接在所述第一主表面和所述第二主表面中的一个上；形成第一电绝缘层，所述第一电绝缘层覆盖所述载体的所述第一半导体芯片被附接在其上的主表面以及所述第一半导体芯片；以及然后，沿所述凹陷图案将所述载体分隔成多个部分。

本发明所述的方法，优选地，提供载体包括在所述载体的所述第一主表面中生成凹陷图案。

本发明所述的方法，优选地，所述凹陷图案通过蚀刻生成。

本发明所述的方法，优选地，所述载体的分割通过蚀刻来进行。

本发明所述的方法，优选地，所述第一半导体芯片附接在所述第二主表面上；并且仅仅蚀刻所述第一主表面的凹陷部分。

本发明所述的方法，优选地，所述第一半导体芯片附接在所述第二主表面上；并且蚀刻所述第一主表面的凹陷部分和非凹陷部分。

本发明所述的方法，优选地，所述第一半导体芯片附接在所述第一主表面上。

本发明所述的方法，优选地，蚀刻所述第二主表面。

本发明所述的方法，优选地，通过在所述载体的所述第一半导体芯片被附接在其上的主表面上和所述第一半导体芯片上层压纤维加固的热固性树脂层或颗粒加固的热固性树脂层或者未填充的层压热固性树脂层或者填充的或未填充的热塑性树脂层，来形成所述第一绝缘层。

本发明所述的方法，优选地，在所述第一绝缘层上设置第一结构化金属层；以及在所述第一半导体芯片的背离所述载体的上表面上形成从所述第一结构化金属层延伸至电极焊盘的至少第一贯通连接。

本发明所述的方法，优选地，在所述第一绝缘层上设置第一结构化金属层；以及形成从所述第一结构化金属层延伸至所述载体的至少第二贯通连接。

本发明所述的方法，优选地，通过在所述第一绝缘层上层压纤维加固的热固性树脂层或颗粒加固的热固性树脂层或者未填充的层压热固性树脂层或者填充的或未填充的热塑性树脂层，来形成第二绝缘层。

本发明所述的方法，优选地，在所述第二绝缘层上设置第二结构化金属层；以及形成从所述第二结构化金属层延伸至所述载体的至少第三贯通连接。

本发明所述的方法，优选地，将第二半导体芯片附接在所述载体的所述第一半导体芯片被附接其上的主表面上。

根据本发明的又一方面，提供一种制造层压电子器件的方法，包括提供载体，所述载体限定了第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面；将临时箔附接到所述载体的所述第一主表面；将狭缝图案形成在所述载体中，所述狭缝从所述第一主表面延伸至所述第二主表面；将第一半导体芯片附接在所述第二主表面上；形成覆盖所述载体的所述第二主表面和所述第一半导体芯片的第一电绝缘层；以及从所述载体中去除所述临时箔。

本发明所述的制造层压电子器件的方法，优选地，将所述狭缝图案形成到所述载体中是通过蚀刻来进行的。

本发明还提供一种层压电子器件，包括：

载体，所述载体限定了第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面，所述载体具有从所述第一主表面延伸至所述第二主表面的狭缝图案，所述狭缝通过蚀刻形成；

第一半导体芯片，其附着在所述第一主表面和所述第二主表面中的一个上；以及

第一电绝缘层，其覆盖所述载体的所述第一半导体芯片被附接在其上的主表面和所述第一半导体芯片。

根据本发明所述的层压电子器件，优选地，所述狭缝图案的狭缝具有通过蚀刻生成的它们的圆形边缘特征。

根据本发明所述的层压电子器件，优选地，所述狭缝的边缘没有毛刺。

根据本发明所述的层压电子器件，优选地，所述狭缝图案的狭缝具有表现出至少1.0μm的平均粗糙度的壁。