[发明专利]发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

衬底；

所述衬底上的第一发光结构，所述第一发光结构包括第一导电类型半导体层、所述第一导电类型半导体层上的第一有源层、以及所述第一有源层上的第二导电类型半导体层；

所述第一发光结构上的绝缘层，所述绝缘层被布置在所述第二导电类型半导体层上；

所述绝缘层上的第二发光结构，所述第二发光结构包括所述绝缘层上的第三导电类型半导体层、所述第三导电类型半导体层上的第二有源层、以及所述第二有源层上的第四导电类型半导体层；以及

公共电极，所述公共电极被共同地并且电气地连接到所述第二导电类型半导体层和所述第三导电类型半导体层。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述绝缘层包括具有低载流子浓度的半导体材料。

3.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括所述第一导电类型半导体层上的第一电极和所述第四导电类型半导体层上的第二电极。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述公共电极被布置在所述第二导电类型半导体层的顶表面和侧表面的至少一部分、所述绝缘层的侧表面、以及所述第三导电类型半导体层的侧表面的至少一部分上。

5.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述公共电极被进一步布置在所述第三导电类型半导体层的顶表面的至少一部分上。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述公共电极包括所述第二导电类型半导体层上的第一公共电极和所述第三导电类型半导体层上的第二公共电极。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述公共电极是从由Cu、Au、Al、Ti、以及Cr组成的组中选择的至少一个。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述公共电极被连接到具有电气接地状态的外部端子。

9.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述第一和第二电极被共同地并且电气地连接到AC电源。

10.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一导电类型半导体层和所述第三导电类型半导体层包括N型掺杂物，并且所述第二导电类型半导体层和所述第四导电类型半导体层包括P型掺杂物。

11.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述绝缘层具有大约10nm至大约1,000nm的厚度。

12.一种发光器件，包括：

导电支撑构件；

所述导电支撑构件上的第一发光结构，所述第一发光结构包括所述导电支撑构件上的第一导电类型半导体层、所述第一导电类型半导体层上的第一有源层、以及所述第一有源层上的第二导电类型半导体层；

所述第一发光结构上的绝缘层，所述绝缘层被布置在所述第二导电类型半导体层上；

所述绝缘层上的第二发光结构，所述第二发光结构包括所述绝缘层上的第三导电类型半导体层、所述第三导电类型半导体层上的第二有源层、以及所述第二有源层上的第四导电类型半导体层；以及

公共电极，所述公共电极被共同地并且电气地连接到所述第二导电类型半导体层和所述第三导电类型半导体层。

13.根据权利要求12所述的发光器件，进一步包括在所述第一导电类型半导体层和所述导电支撑构件之间的反射层，所述反射层包含反射光的材料。

14.根据权利要求12所述的发光器件，其中所述公共电极被布置在所述第二导电类型半导体层的侧表面的至少一部分、所述绝缘层的侧表面、以及所述第三导电类型半导体层的顶表面和侧表面的至少一部分上。

15.根据权利要求12所述的发光器件，进一步包括所述第四导电类型半导体层上的电极，

其中所述导电支撑构件和所述电极被共同地并且电气地连接到AC电源。

16.一种发光器件，包括：

衬底；

所述衬底上的第一发光结构；

所述第一发光结构上的公共电极层；

所述公共电极层上的绝缘层；

所述绝缘层上的第二发光结构；以及

多个公共电极，所述多个公共电极穿过所述绝缘层以接触所述第二发光结构的导电类型半导体层。

17.根据权利要求16所述的发光器件，其中所述公共电极层被布置在所述第一发光结构的整个区域上。