[发明专利]发光器件无效

专利信息
申请号: 201010587621.6 申请日: 2010-12-10
公开(公告)号: CN102097424A 公开(公告)日: 2011-06-15
发明(设计)人: 姜大成;郑明训;丁圣勋 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L33/08;H01L33/40;H01L33/62;H01L33/46
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 夏凯;谢丽娜
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 发光 器件
【说明书】:

相关申请的交叉引用

本申请要求于2009年12月10日提交的韩国专利申请No.10-2009-0122752的优先权,其通过引用整体合并在此。

技术领域

实施例涉及一种发光器件。

背景技术

发光二极管(LED)是将电流转换为光的半导体发光器件。随着近来LED的亮度增加,LED被用作用于显示器、车辆、以及照明的光源。而且,可以通过使用荧光物质或者组合具有各种颜色的LED实现发射高效的白光的LED。

由于这样的LED具有普通的二极管特性,当LED被连接到交流(AC)电源时,根据电流的方向重复地导通/截止LED。因此,LED没有连续地产生光。另外,LED会由于反向电流而损坏。

因此,进行了其中LED直接连接到AC电源来使用LED的各种研究。

发明内容

实施例提供具有新结构的发光器件。

实施例还提供具有电极结构的发光器件,该电极结构被共同地连接到至少两个发光结构。

实施例还提供发光器件,其接收AC电力以连续地产生光。

在一个实施例中,发光器件包括:衬底;衬底上的第一发光结构,该第一发光结构包括第一导电类型半导体层、第一导电类型半导体层上的第一有源层、以及第一有源层上的第二导电类型半导体层;第一发光结构上的绝缘层,该绝缘层被布置在第二导电类型半导体层上;绝缘层上的第二发光结构,该第二发光结构包括绝缘层上的第三导电类型半导体层、第三导电类型半导体层上的第二有源层、以及第二有源层上的第四导电类型半导体层;以及公共电极,该公共电极被共同地并且电气地连接到第二导电类型半导体层和第三导电类型半导体层。

在另一实施例中,发光器件包括:导电支撑构件;导电支撑构件上的第一发光结构,该第一发光结构包括导电支撑构件上的第一导电类型半导体层、第一导电类型半导体层上的第一有源层、以及第一有源层上的第二导电类型半导体层;第一发光结构上的绝缘层,该绝缘层被布置在第二导电类型半导体层上;绝缘层上的第二发光结构,该第二发光结构包括绝缘层上的第三导电类型半导体层、第三导电类型半导体层上的第二有源层、以及第二有源层上的第四导电类型半导体层;以及公共电极,该公共电极被共同地并且电气地连接到第二导电类型半导体层和第三导电类型半导体层。

在又一实施例中,发光器件包括:衬底;衬底上的第一发光结构;第一发光结构上的公共电极层;公共电极层上的绝缘层;绝缘层上的第二发光结构;以及多个公共电极,所述多个公共电极穿过绝缘层以接触第二发光结构的导电类型半导体层。

在附图和下面的描述中,阐述一个或者多个实施例的细节。根据描述和附图,以及根据权利要求书,其它的特征将会是显而易见的。

附图说明

图1是根据第一实施例的发光器件的截面图。

图2是根据第一实施例的发光器件的平面图。

图3是示出图1的发光器件的示意性等效电路图。

图4至图7是示出根据第一实施例的发光器件的制造工艺的视图。

图8是根据第二实施例的发光器件的截面图。

图9是根据第三实施例的发光器件的截面图。

图10是根据第四实施例的发光器件的截面图。

图11是根据第五实施例的发光器件的截面图。

图12是根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的截面图。

图13是根据实施例的显示装置的分解透视图。

图14是根据实施例的显示装置的视图。

图15是根据实施例的照明装置的透视图。

具体实施方式

在下文中,将会参考附图描述根据实施例的发光器件、发光器件封装、以及包括发光器件封装的照明系统。

在实施例的描述中,将会理解的是,当层(或者膜)被称为在另一层或者衬底“上”时,它能够直接地在另一层或者衬底上,或者也可以存在中间层。此外,将会理解的是,当层被称为在另一层的“下方”时,它能够直接地位于另一层的下方,并且也可以存在一个或者多个中间层。另外,还将会理解的是,当层被称为在两个层“之间”时,它能够是两个层之间的唯一的层,或者也可以存在一个或者多个中间层。

图1是根据第一实施例的发光器件的截面图,并且图2是根据第一实施例的发光器件的平面图。

参考图1和图2,发光器件100包括衬底110、基层120、第一导电类型半导体层130、第一有源层140、第二导电类型半导体层150、绝缘层160、第三导电类型半导体层170、第二有源层180、第四导电类型半导体层190、第一电极131、第二电极191、以及公共电极165。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司,未经LG伊诺特有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010587621.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top