[发明专利]一种高真空熔炼钴基钼镁合金的加工方法无效
| 申请号： | 201010589077.9 | 申请日： | 2010-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102534272A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 李庆新 | 申请（专利权）人： | 李庆新 |
| 主分类号： | C22C1/02 | 分类号： | C22C1/02;C22C19/07 |
| 代理公司： | 辽宁沈阳国兴专利代理有限公司 21100 | 代理人： | 侯景明 |
| 地址： | 110136 辽宁省沈阳*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 真空 熔炼 钴基钼 镁合金 加工 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高真空熔炼钴基钼镁合金的加工方法，其特征是用热力学稳定的高纯钨坩埚，在正压气氛下熔炼钴基钼镁活性合金，具体过程为：
1）合金材料：按合金要求的原子比取工业纯钴，高纯钼粉，镁；
2) 装炉：钼粉装入坩埚底部，纯钴基装入钼粉上面，将镁装入料斗，熔炼过程中后期加入；
3）熔炼前：首先将炉体抽高真空，当炉内的高真空度低于0.01Pa时，炉内充氩气，加压力至0.08～0.12MPa之间；
4)合金熔化：送电，熔化钼粉和纯钴基，全部熔化后，翻转料斗，加入镁合金；
5)合金的浇注：将所述合金原料全部熔化后，精炼净置，待温度达到2050～2150℃之间时，浇注合金液。
2.根据权利要求1一种高真空熔炼钴基钼镁合金的加工方法，其特征是钨坩埚具有很强的热力学稳定性，可减少合金中活性元素与坩埚间发生反应带来的污染。
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