[发明专利]一种高真空熔炼钴基钼镁合金的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及高真空冶金技术，尤其涉及一种高真空熔炼钴基钼镁合金的加工方法。

背景技术

在现在的冶金技术条件下，钴基钼镁合金系列材料由于熔点高、易氧化、易吸气，采用常规氧化铝、氧化锆坩埚高真空熔炼该合金，即使在熔炼过程炉内充入一定压力的惰性气体，合金液会受到坩埚材料的污染，熔炼过程不能正常进行，也不能达不到合金所要求的质量标准。因此，目前国外熔炼这类合金多采用先进的高真空等离子熔炼技术，但这种技术的熔炼合金的成本高，价格昂贵。

发明内容

本发明的目的是提供一种能够避免熔炼过程中坩埚材料与合金中活性元素发生反应，降低合金含氧量、提高熔炼合金纯净度的高真空熔炼钴基钼镁合金的工艺。

本发明的目的是通过下述技术方案实现的：

一种高真空熔炼钴基钼镁合金的加工方法，用热力学稳定的高纯钨坩埚，在正压气氛下熔炼钴基钼镁活性合金；具体过程为：

1）合金材料：按合金要求的原子比取工业纯钴，高纯钼粉，镁；

2) 装炉：钼粉装入坩埚底部，纯钴基装入钼粉上面，将镁装入料斗，熔炼过程中后期加入；

3）熔炼前：首先将炉体抽高真空，当炉内的高真空度低于0.01Pa时，炉内充氩气，加压力至0.08～0.12MPa之间；

4)合金熔化：送电，熔化钼粉和纯钴基，全部熔化后，翻转料斗，加入镁合金；

5)合金的浇注：将所述合金原料全部熔化后，精炼净置，待温度达到2050～2150℃之间时，浇注合金液。

本发明原理是：本发明采用的钨坩埚具有很强的热力学稳定性，可减少合金中活性元素与坩埚间发生反应带来的污染。充入惰性气体保持正压，减少的挥发，降低合金含氧量，对熔炼纯净度要求较高的钴基钼镁合金具有相当大的意义。

本发明的优点效果如下：

1、发明采用的钨坩埚具有良好的热力学稳定性，大大减少了钴基钼镁合金熔炼过程与坩埚间的反应。

2、本发明在惰性气体氩气的正压下熔炼钴基钼镁合金，有效抑制了合金液中活性元素与坩埚反应的动力学进程，上述两者结合，熔炼出了氧含量低于800ppm的钴基钼镁合金。

3、本发明的高真空熔炼技术，相对于电子束、等离子熔炼，高真空自耗等高真空冶金技术，设备成本低，操作方便，工艺简单，大大降低了合金的制造成本，使得钴基钼镁类合金的实际应用成为现实。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明做进一步详细说明，但本发明的保护范围不受实施例所限。

实施例1：

一种高真空熔炼钴基钼镁合金的加工方法，采用热力学稳定的钨坩埚，在正压氩气气氛下熔炼钴基钼镁合金，具体过程为：

1)炼的坩埚采用钨坩埚，纯度≥99.9%；

2)合金原料：按原子比取工业纯钴、高纯钼粉、镁作原料，该合金中重量百

分比为钴：钼：镁：=60:18:22；

3)装炉：按如下顺序装炉：钼粉、纯钴装入钼坩埚中，镁装入料斗，熔炼后期加入；

4)熔炼准备：首先将炉体抽高真空，当炉内的高真空等于0.01Pa时，炉内充氩气，加压力至0.1Mpa；

5)合金熔化：送电，熔化钼粉和纯钴基，合部熔化后，翻转料斗，加入镁合金；

6）合金的浇注：将所述合金原料全部熔化后，精炼净置和，待温度达到2050～2150℃之间时，浇注合金液。铸造出钴基钼镁合金铸锭。

本实施例熔炼合金的成份见表1：

表1 高真空熔炼钴基钼镁合金的成分（重量百分比）