[发明专利]开口的填充方法有效
| 申请号： | 201010590432.4 | 申请日： | 2010-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102543835A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 赵超;王文武;钟汇才 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3205;C23C14/14;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 开口 填充 方法 | ||
1.一种开口的填充方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，至少具有底层金属连线层和所述底层金属连线层上方隔离介质层，所述隔离介质层中具有开口；
在开口内和开口外的隔离介质层表面依次形成扩散阻挡层和籽晶层；
在所述开口外的籽晶层表面形成掩膜层；
在具有掩膜层的半导体衬底上覆盖金属层，所述金属层将所述开口填充。
2.根据权利要求1所述的开口的填充方法，其特征在于，在所述开口外的籽晶层表面形成掩膜层的步骤中，采用具有方向性束流的PVD工艺或者表面处理工艺，所述束流的方向偏离半导体衬底的法线方向。
3.根据权利要求2所述的开口的填充方法，其特征在于，所述掩膜层具有抑制金属层材料在其表面沉积的特性。
4.根据权利要求1所述的开口的填充方法，其特征在于，所述掩膜层还覆盖开口的缩颈区。
5.根据权利要求1所述的开口的填充方法，其特征在于，所述掩膜层材料包括高电阻金属材料、半导体材料或介质材料。
6.根据权利要求1所述的开口的填充方法，其特征在于，所述掩膜层包括：Ta和TaN中的一种或它们的叠层。
7.根据权利要求2所述的开口的填充方法，其特征在于，所述表面处理工艺为氧离子注入工艺，则所述掩膜层的材料为氧化铜。
8.根据权利要求1所述的开口的填充方法，其特征在于，在所述开口外的籽晶层表面形成掩膜层的步骤中，通过调整工艺时间使得掩膜层仅在所述开口外的籽晶层表面形成。
9.根据权利要求1所述的开口的填充方法，其特征在于，所述开口包括通孔、沟槽和TSV中的一种或多种。
10.根据权利要求1或9所述的开口的填充方法，其特征在于，所述金属层将所述开口填充之后还包括：所述进行平坦化工艺，去除所述开口外的金属层、籽晶层和扩散阻挡层，以形成金属连线层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
