[发明专利]CMOS集成光接收器带宽扩展技术

权利要求书

1.一种CMOS集成光接收器带宽扩展技术，其特征是使用即利用在光电二极管PD和跨阻放大器TIA输入之间加入适当片上电感，来抵消了寄生电容的影响，使得集成光接收器的带宽得以增强。并采用加入的电感环绕PD的结构，有效利用了PD周边的面积，对芯片总面积的影响可降为最低。

2.根据权利要求1所述的CMOS集成光接收器带宽扩展技术，其特征是使用适当片上电感，来抵消了寄生电容的影响。

3.根据权利要求1所述的CMOS集成光接收器带宽扩展技术，其特征是使用片上电感环绕PD的结构。

4.根据权利要求1所述的CMOS集成光接收器带宽扩展技术，其特征是光电二极管PD和跨阻放大器TIA及电感共置于同一CMOS衬底之上。

5.根据权利要求1所述的CMOS集成光接收器带宽扩展技术，部分片上电感同时可作为PD和TIA之间的联线。