[发明专利]一种双向制冷式半导体激光器及其制备方法无效
| 申请号： | 201010591855.8 | 申请日： | 2010-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102064465A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 刘兴胜 | 申请（专利权）人： | 刘兴胜 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024 |
| 代理公司： | 西安西交通盛知识产权代理有限责任公司 61217 | 代理人： | 罗永娟 |
| 地址： | 710119 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 双向 制冷 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
1.一种双向制冷式半导体激光器，包括正极支撑块(1)、负极支撑块(4)以及设置在正极支撑块(1)与负极支撑块(4)之间的芯片(2)，其特征在于：在芯片(2)的一侧或两侧面设置有突起层。
2.根据权利要求1所述的双向制冷式半导体激光器，其特征在于：所述芯片(2)的正极面与所述正极支撑块(1)贴合连接，所述芯片(2)的负极面与负极支撑块(4)之间设有突起层。
3.根据权利要求2所述的双向制冷式半导体激光器，其特征在于：所述突起层(3)由一层均匀分布的焊熘突起(3)构成；所述焊熘突起(3)的形状为球形、半球形、椭球形、矩形或条形；所述焊熘突起(3)由高导热率材料制成。
4.根据权利要求2所述的双向制冷式半导体激光器，其特征在于：所述正极支撑块(1)进行可焊接处理，所述芯片(2)焊接在正极支撑块(1)的可焊接表面层上。
5.根据权利要求1所述的双向制冷式半导体激光器，其特征在于：所述正极支撑块(1)和负极支撑块(4)是由高导热率材料制成。
6.根据权利要求1所述的双向制冷式半导体激光器，其特征在于：所述芯片(2)为单发光单元芯片、多发光单元芯片或者由多个单发光单元芯片连接组成。
7.一种双向制冷式半导体激光器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)首先采用高导热率材料制备正极支撑块(1)和负极支撑块(4)；
2)将正极支撑块(1)和负极支撑块(4)进行可焊接处理；
3)在负极支撑块(4)的一面均匀设置焊熘突起(3)以形成突起层；
4)将芯片(2)的负极面贴在突起层上；
5)将芯片(2)的正极面焊接在正极支撑块(1)上，制成双向制冷式半导体激光器。
8.一种双向制冷式半导体激光器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)首先采用高导热率材料制备正极支撑块(1)和负极支撑块(4)；
2)正极支撑块(1)和负极支撑块(4)表面进行可焊接处理；
3)正极支撑块(1)的一面均匀设置焊熘突起(3)以形成突起层；
4)将芯片(2)的正极面贴在突起层上；
5)将芯片(2)的负极面焊接在负极支撑块(4)上，制成双向制冷式半导体激光器。
9.一种双向制冷式半导体激光器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)首先采用高导热率材料制备正极支撑块(1)和负极支撑块(4)；
2)正极支撑块(1)和负极支撑块(4)进行可焊接处理；
3)在芯片(2)的一面或者两面均匀设置焊熘突起(3)以形成突起层；
4)将设置有突起层的芯片(2)焊接在正极支撑块(1)和负极支撑块上(4)；
10.一种双向制冷式半导体激光器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)首先采用高导热率材料制备正极支撑块(1)和负极支撑块(4)；
2)正极支撑块(1)和负极支撑块(4)表面进行可焊接处理；
3)在正极支撑块(1)一面和负极支撑块(4)的一面均匀设置焊熘突起(3)以形成突起层；
4)将芯片(2)的正极焊接在正极支撑块(1)设置有突起层的一面，将芯片(2)的负极焊接在负极支撑块(4)设置有突起层的一面。
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