[发明专利]一种双向制冷式半导体激光器及其制备方法

说明书

技术领域

本发明属于激光器制造领域，涉及一种半导体激光器，尤其是一种双向制冷式半导体激光器及其制备方法。

背景技术

半导体激光器又称激光二极管(LD)。进入八十年代，人们吸收了半导体物理发展的最新成果，采用了量子阱(QW)和应变量子阱(SL-QW)等新颖性结构，引进了折射率调制Bragg发射器以及增强调制Bragg发射器最新技术，同时还发展了MBE、MOCVD及CBE等晶体生长技术新工艺，使得新的外延生长工艺能够精确地控制晶体生长，达到原子层厚度的精度，生长出优质量子阱以及应变量子阱材料。于是，制作出的LD，其阈值电流显著下降，转换效率大幅度提高，输出功率成倍增长，使用寿命也明显加长。

随着半导体激光器的性能稳定性不断改善、转换效率和输出功率不断提高，半导体激光器在激光通信、光存储、光陀螺、激光打印、测距以及雷达等方面的应用更加广泛，市场需求巨大，发展前景更加广阔。

目前，虽然半导体激光器技术已经有了长足的发展，但是由于当今科技的快速发展，使得各应用领域对半导体激光器的性能要求更加苛刻。

半导体激光器不仅是一个光源，同时也是一个热源，其中电功率的40％转换成光功率，另外60％的电功率就以热功率的形式散发出来，所以半导体激光器所面临的主要问题仍然是激光器的输出光功率和转换效率偏低，性能稳定性差以及成本较高等，这些不足严重制约了它的应用空间。激光器的性能除了与芯片有关外，还跟激光器的散热和封装有关。为了提高激光器的可靠性和性能稳定性，降低生产成本，设计高可靠性的封装结构和高效的散热结构是必须的。这也对封装结构的设计和制造提出了更高的要求，要求其具有更加简单、高效和低成本的特点。

现有技术中，功率电子器件的封装形式中热传导冷却型为单面热传导冷却型(“Two-dimensional high-power laser diode arrays cooled byFunryu heat sink”.SPIE，vol.889，66-70(2000))。以大功率半导体激光器为例，说明这这种封装形式。对于大块热沉而言，容易产生器件温度上升，这将导致器件的寿命和可靠性下降等问题的产生。因此，用这种封装形式的器件，其输出功率一般只有几瓦到几十瓦，要想进一步扩展功率电子器件的功率就十分困难。

另一种现在已经商业化生产的微通道液体制冷器结构。虽然其采用主动散热，散热能力增强，使器件的功率得到很大的提高，但仍存在以下缺点：

1.使用和维护成本高：由于该制冷器的冷却液与电子器件正负极直接接触，因此在工作时必须使用高质量的去离子水作为冷却介质，以防止正负极导通。去离子水成本高，并且在使用时必须保持去离子水的低电导率，因此使用和维护成本很高。

2.加工难度大：微通道液体制冷器通常是由几层很薄的铜片层叠加工成型，内部的微通道大约为300微米，在制造过程中，需要对每一层铜片进行精确的加工，以使层叠后的微通道在液体流过时形成散热能力强的湍流。因此，微通道制冷器的精确加工是一个难点。

3.制造成本高：由于微通道制冷器的精密加工难度相当大，其制造成本也是非常高的。

4.使用寿命短：在功率电子器件的工作过程中，若冷却介质中存在杂质时，这些杂质很容易附着在微通道内壁上。这些杂质颗粒会引起微通道管壁的电化学腐蚀，严重时可能将微通道制冷器的管壁蚀穿，对器件的安全性造成极大地影响。这些都严重影响到功率电子器件的使用寿命。

5.密封要求高：由于微通道制冷器中冷却介质的流动空间非常狭小，因此容易产生多余的压力降，导致器件失效。

综上所述，单面热传导冷却型和微通道液体制冷型这两种封装形式都不能够完全满足大功率半导体激光器的要求。

发明内容

本发明的目的在于克服上述现有技术的缺点，提供一种双向制冷的半导体激光器，并有效降低其制造和使用成本。

本发明的目的是通过以下技术方案来解决的：

这种双向制冷式半导体激光器，包括正极支撑块、负极支撑块以及设置在正极支撑块与负极支撑块之间的芯片，在芯片的一侧面或两侧设置有与正极支撑块或负极支撑块连接的突起层。

本发明提供的一种较佳实施中，芯片的正极面与所述正极支撑块贴合连接，所述芯片的负极面与负极支撑块之间设有突起层。

上述突起层由一层均匀分布的焊熘突起构成。

上述焊熘突起的形状为球形、半球形、椭球形或者其他形状；所述焊熘突起由高导热率材料制成。

上述正极支撑块表面进行可焊接处理。