[发明专利]发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010592971.1 | 申请日： | 2010-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN102117878A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 元晶敏 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/60;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陆弋;王伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光器件，包括：
主体；
绝缘层，所述绝缘层位于所述主体的表面上；
至少一个电极，所述至少一个电极位于所述绝缘层上；
发光二极管，所述发光二极管连接到所述电极；以及
反射层，所述反射层位于所述绝缘层上方，
其中，所述反射层包括位于所述电极上方的第一区域和位于所述绝缘层上方的第二区域。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述绝缘层包括SixOy。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，与所述反射层形成在所述电极上方时相比，当所述反射层形成在所述绝缘层上方时，所述反射层呈现较高的反射率。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述反射层具有由Ti和Ag堆叠而成的堆叠结构。
5.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述电极的最上层包括Au。
6.根据权利要求5所述的发光器件，其中，所述电极具有由Ti、Cu、Ni和Au堆叠而成的堆叠结构。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述主体内设置有腔体。
8.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述电极包括电极主体部和延伸部，所述延伸部设置在所述腔体中同时从所述电极主体部突出，并且，所述反射层形成在所述延伸部和所述绝缘层上方。
9.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述电极形成在所述腔体的外部，并且，所述反射层形成在所述腔体的内部和外部以将所述电极电连接到所述发光二极管。
10.根据权利要求8所述的发光器件，其中，所述发光二极管通过导电连接构件电连接到所述延伸部。
11.根据权利要求9所述的发光器件，其中，所述发光二极管通过导电连接构件电连接到所述反射层。
12.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述反射层包括彼此分离的多个反射层。
13.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述反射层的所述第二区域大于所述反射层的所述第一区域。
14.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述反射层与所述绝缘层之间的接触面积相当于所述主体的顶表面面积的5％至100％。
15.一种照明系统，包括：
基板；以及
发光模块，所述发光模块包括根据权利要求1至14中的一项所述的发光器件。
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