[发明专利]发光器件及其制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求(2010年1月05日提交的)韩国专利申请No.10-2010-0000487的优先权，该韩国申请的全部内容在此通过引用通过引用的方式并入。

技术领域

实施例涉及一种发光器件及制造该发光器件的方法。

背景技术

发光二极管(LED)是将电流转换为光的半导体发光器件。LED能够产生具有高亮度的光，使得LED已经广泛作为用于显示装置、车辆、或者照明装置的光源。另外，LED能够通过采用磷光体或者把具有各种颜色的LED相组合来呈现具有优异光效率的白色。

为了提高LED的亮度和性能，已经进行多种尝试以改进光提取结构、有源层结构、电流分布、电极结构、以及发光二极管封装的结构。

发明内容

实施例提供具有新颖结构的发光器件及其制造方法。

实施例提供一种能够提高发光效率的发光器件。

根据实施例，发光器件包括：主体；绝缘层，该绝缘层位于所述主体的表面上；至少一个电极，该至少一个电极位于所述绝缘层上；发光二极管，该发光二极管连接到所述电极；以及反射层，该反射层位于所述绝缘层上方。

根据实施例，制造发光器件的方法包括：在主体的表面上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成至少一个电极；在所述绝缘层和电极上方形成反射层；以及，在所述主体上形成发光二极管。

附图说明

图1是示出根据第一实施例的发光器件的透视图；

图2是沿着图1的线A-A’截取的截面图；

图3是示出根据第一实施例的发光器件的顶视图；

图4至图10是示出制造根据第一实施例的发光器件的方法的截面图；

图11是示出根据第二实施例的发光器件的顶视图；

图12是示出根据第三实施例的发光器件的截面图；

图13是示出根据第四实施例的发光器件的截面图；

图14是示出根据第五实施例的发光器件的透视图；

图15是示出根据第六实施例的发光器件的透视图；

图16是示出图15的发光器件的截面图；

图17是示出包括根据实施例的发光器件的背光单元的透视图；并且

图18是示出包括根据实施例的发光器件的照明系统的透视图。

具体实施方式

在实施例的描述中，将会理解的是，当一个层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一基板、另一层(或膜)、另一区域、另一垫、或者另一图案“上”或“下”时，它可以“直接”或“间接”在另一基板、层(或膜)、区域、垫、或图案上方，或者也可以存在有一个或多个中间层。将参考附图来描述层的这种位置。

为了方便或清楚起见，附图所示的每个层的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示意性绘制。另外，元件的尺寸并未完全反映真实尺寸。

在下文中，将参考附图来描述根据实施例的发光器件及其制造方法。

<实施例1>

图1是示出根据第一实施例的发光器件100的透视图，而图2是沿着图1的线A-A’截取的截面图。图3是示出发光器件100的顶视图。

参考图1和图3，发光器件100包括：主体10；绝缘层12，该绝缘层12形成在主体10的表面上并且包括硅氧化物(Si_xO_y)；至少一个发光二极管20，该至少一个发光二极管20设置在主体10上；第一电极31和第二电极32，该第一电极31和第二电极32设置在主体10上并且电连接到发光二极管20；以及反射层40，该反射层40的至少一部分与绝缘层12的顶表面接触以反射从发光二极管20发射的光。

另外，如图2所示，发光器件100还可以包括密封剂50，以密封发光二极管20和在该密封剂50上方形成的透镜60，但本实施例不限于此。

反射层40的反射率可以根据与反射层40的下部接触的层的材料类型而变化。详细地，与反射层40的下部接触的层的表面形状或这两个层之间的折射率的差异导致了反射层40的反射率的变化。

例如，如果反射层40包括其中Ti和Ag被顺序地堆叠的Ti/Ag层，绝缘层12包括SiO₂，并且第一电极31和第二电极32包括其中Ti、Cu、Ni、Au被顺序地堆叠的Ti/Cu/Ni/Au层，则与绝缘层12接触该反射层40的下部时相比，当第一电极31和第二电极32接触该反射层40的下部时，反射层40呈现较低的反射率。换句话说，与Au接触该反射层40的下部时相比，当SiO₂与反射层40的下部接触时，反射层40呈现较高的反射率。