[发明专利]超声传感器及制造方法、包括超声传感器的纸币处理装置无效

专利信息
申请号: 201010593216.5 申请日: 2010-12-17
公开(公告)号: CN102194274A 公开(公告)日: 2011-09-21
发明(设计)人: 山本幸洋;逸见和弘 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: G07D7/08 分类号: G07D7/08;G01V1/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 杜娟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 超声 传感器 制造 方法 包括 纸币 处理 装置
【权利要求书】:

1.一种制造超声传感器的方法,该方法包括:

在具有相对侧的压电体(631)的一侧上形成第一导电层(632a);

在所述压电体(631)的另一侧上形成第二导电层(632b);

在所述第一导电层(632a)上形成衬垫层(640);

在所述第二导电层(632b)上形成预定大小的匹配层(610);

设置穿过所述第一导电层(632a)、所述压电体(631)、所述第二导电层(632b)和所述匹配层(610)的至少一个切口(G)以形成多个通道(C),所述切口(G)的深度从所述匹配层(610)至少延伸到所述第一导电层(632a)。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,基于待检测物体在该待检测物体的传送方向上的大小,设定所述匹配层(610)在该待检测物体的传送方向上的长度。

3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述匹配层(610)在该待检测物体的传送方向上的长度小于该待检测物体在该待检测物体的传送方向上的长度的一半。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,在与待检测物体的传送方向成预定切割角度(θw)的方向上,在从所述匹配层(610)延伸到所述第一导电层(632a)的深度上设置所述切口(G)。

5.一种超声传感器,包括:

具有相对侧的压电体(631);

形成在所述压电体(631)的一侧上的第一导电层(632a);

形成在所述压电体(631)的另一侧上的第二导电层(632b);

形成在所述第一导电层(632a)上的衬垫层(640);

形成在所述第二导电层(632b)上的预定大小的匹配层(610);和

通过利用至少一个切口(G)切割穿过所述匹配层(610)、所述第一导电层(632a)、所述压电体(631)和所述第二导电层(632b)而形成的多个通道(C),该至少一个切口(G)的深度从所述匹配层(610)至少延伸到所述第一导电层(632a)。

6.一种片材处理装置,包括:

用于传送片材(7)的传送部(115);

用于向所述片材(7)发出超声波的发射部(50),该发射部(50)在与传送方向垂直的方向上比所述片材(7)的宽度更长;

用于接收透射通过所述片材(7)的超声波的接收部(60),该接收部(60)布置在与所述发射部(50)相对的位置处,使得所述传送部(115)布置在所述发射部(50)与所述接收部(60)之间,所述接收部(60)包括:

具有相对侧的压电体(631);

形成在所述压电体(631)的一侧上的第一导电层(632a);

形成在所述压电体(631)的另一侧上的第二导电层(632b);

形成在所述第一导电层(632a)上的衬垫层(640);

形成在所述第二导电层(632b)上的预定大小的匹配层(610);以及

通过利用至少一个切口(G)切割穿过所述匹配层(610)、所述第一导电层(632a)、所述压电体(631)和所述第二导电层(632b)而形成的多个通道(C),该至少一个切口(G)的深度从所述匹配层(610)至少延伸到所述第一导电层(632a);

确定部(151),用于将所述接收部(60)的所述多个通道(C)检测到的检测信号与预先存储的参考值进行比较,并基于该比较的结果确定所述片材(7)是否附着有异物;以及

分类处理部(152),基于所述确定部(151)的确定结果对所述片材(7)进行分类。

7.根据权利要求6所述的片材处理装置,其中,所述发射部(50)包括:

具有相对侧的压电体(631);

形成在所述压电体(631)的一侧上的第一导电层(632a);

形成在所述压电体(631)的另一侧上的第二导电层(632b);

形成在所述第一导电层(632a)上的衬垫层(640);以及

形成在所述第二导电层(632b)上的预定大小的匹配层(610)。

8.根据权利要求7所述的片材处理装置,其中,所述发射部(50)的匹配层(610)在所述片材(7)的传送方向上的长度至少为所述接收部(60)的匹配层(610)在所述片材(7)的传送方向上的长度。

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