[发明专利]一种基于SCR的集成电路静电保护器件

权利要求书

1.一种基于SCR结构的集成电路静电保护器件，包含由P+注入区(1)、P阱(5)、N阱(7)、N+注入区(9)构成的SCR，其特征在于：在所述SCR的阳极端(1)下面增加一个N注入区(8)。

2.根据权利要求1所述的集成电路静电保护器件，其特征在于：由N+注入区(2)，FOX(3)，POLY(4)，N+注入区(9)共同形成LDMOS基本结构，该结构与所述SCR共同构成一个SCR-LDMOS结构。

3.根据权利要求2所述的集成电路静电保护器件，其特征在于：所述N注入区(8)位于P+注入区(1)和N+注入区(2)的下部，与P阱(5)、N阱(7)相邻。

4.根据权利要求3所述的集成电路静电保护器件，其特征在于：包含一个LDMOS的漂移区N注入区(6)，位于FOX(3)的下部，与所述N注入区(8)相连接。

5.用于权利要求1至4中任一权利要求所述的集成电路静电保护器件的维持电压调节方法，其特征在于：通过调整所述N注入区(8)的剂量，降低原有器件的ESD触发电压及提高其维持电压。

6.根据权利要求5所述的集成电路静电保护器件的维持电压调节方法，其特征在于：通过ESD注入提高N注入区(8)的电子浓度。