[发明专利]静电放电保护装置

权利要求书

1.一种静电放电ESD保护装置，包括：

一第一半导体型态的一基板；

一第二半导体型态的一第一阱，形成在该基板之中；

该第一半导体型态的第一多个侧向间隔的参杂区域，形成于该第一阱的一上表面，该多个侧向间隔的参杂区域耦接一起以定义该ESD保护装置的一阳极；

该第二半导体型态的第二多个侧向间隔的参杂区域，形成于该第一阱的该上表面，该第二多个侧向间隔的参杂区域耦接一起以定义该ESD保护装置的一阴极；

多个浅沟渠隔离STI区域，设置于该第一阱的一上表面，该多个STI区域的每一个设置于该第一半导体型态的一侧向间隔参杂区域以及该第二半导体型态的一第二侧向间隔参杂区域之间；

其中当反向偏压时借由该第一阱与该第二半导体型态的该第二多个侧向间隔的参杂区域所定义的一二极管用于操作成一无源无线电频率电容器，并且当该阳极或该阴极的一端接收一ESD电压突波时，则顺向偏压以提供一电流旁路。

2.如权利要求1所述的静电放电保护装置，其中该第一半导体型态是一p型且该第二半导体型态是一n型。

3.如权利要求1所述的静电放电保护装置，其中当在该二极管或该阴极的一端接收到该ESD电压突波时，该第一阱与该基板所定义的一二极管组态成顺向偏压。

4.如权利要求1所述的静电放电保护装置，更包括该第一半导体型态的一第二阱，形成于该基板之中，且环绕该第二半导体型态的该第一阱，其中当在该阳极或该阴极的一端接收该ESD电压突波时，该第一半导体型态的该第二阱与该第二半导体型态的该第一阱定义一第一二极管用以提供一第二电流旁路。

5.如权利要求1所述的静电放电保护装置，其中该ESD保护装置的该阳极耦接到一低噪声放大器的一输入节点用以接收一射频输入信号，且该ESD保护装置的该阴极耦接到该低噪声放大器的一正电压供应节点，其中该输入节点耦接到一第一晶体管的一栅极，该第一晶体管的一源极耦接到一负电压供应节点，且一源极耦接到一第二晶体管的一源极，该第二晶体管的一漏极耦接到该低噪声放大器的一输出节点与该正电压供应节点，其中该低噪声放大器包括一功率箝制电路平行耦接该第一与该第二晶体管，该电源箝制电路包括多个晶体管。

6.一种射频静电放电ESD保护装置，包括：

一第二半导体型态的一第一阱，形成在一第一半导体型态的一基板之中；

该第一半导体型态的一第二阱，形成在该基板且环绕该第一阱；

该第一半导体型态的第一多个参杂区域，形成于该第一阱的一上表面，该多个参杂区域耦接一起以定义该ESD保护装置的一阳极；

该第二半导体型态的第二多个参杂区域，形成于该第一阱的该上表面，该多个参杂区域耦接一起以形成该ESD保护装置的一阴极；

多个浅沟渠隔离STI区域，设置于该第一阱的一上表面，该多个STI区域的每一个设置于该第一半导体型态的该参杂区域的一个以及该第二半导体型态的该参杂区域的一个之间；

其中当反向偏压时该第一阱与该第一半导体型态的该多个侧向间隔的参杂区域用于操作成一无源无线电频率电容器，并且当在该阳极或该阴极的一端接收到一ESD电压突波时，则顺向偏压以提供一电流旁路。

7.如权利要求6所述的射频静电放电保护装置，其中当该阳极或该阴极接收一ESD电压突波时，该第一与第二阱形成一第二二极管用于提供一第二电流旁路，其中当该阳极或该阴极接收一ESD电压突波时，该第一阱与该基板形成一第三二极管用于提供一第三电流旁路。

8.如权利要求6所述的射频静电放电保护装置，其中该第二半导体型态是一n型且该第一半导体型态是一p型。