[发明专利]等离子显示屏前面板的制作方法有效
申请号: | 201010597911.9 | 申请日: | 2010-12-21 |
公开(公告)号: | CN102097267A | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
发明(设计)人: | 田玉民;罗向辉 | 申请(专利权)人: | 四川虹欧显示器件有限公司 |
主分类号: | H01J9/20 | 分类号: | H01J9/20;H01J9/02;C23C14/24;C23C14/08;C23C14/14 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 邓世燕 |
地址: | 621000 四川省绵阳市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子 显示屏 面板 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种等离子显示屏的制作方法,特别是涉及一种等离子显示屏前面板的制作方法。
背景技术
目前主流等离子显示屏均采用三电极表面放电型结构,主要由前面板和后面板经过各种图形的制作,最后经过对合封排形成显示屏。在前面板上制作有ITO电极和BUS电极,然后在电极上面制作透明介质层,再在介质层上面蒸镀MgO层。在后面板上制作有和前面板上放电电极互相垂直的ADD电极,ADD电极完成烧结后在上面制作后介质,然后在后介质上面涂敷RIB浆料,经过干燥、贴膜、曝光、显影、喷砂,形成RIB图形,最后在RIB槽里印刷RGB三色荧光粉。在面板上涂敷封接框,在对合机下进行前后面板的精确对合,然后进行封排,充入一定比例的Xe+Ne工作气体。
现有的采用光刻法制作等离子显示屏前面板的制作过程如下:
1)前面板玻璃经过清洗,蒸镀ITO膜;再在ITO膜上涂敷Pr胶,经过干燥,然后在一定曝光量下进行曝光,曝光后进行显影、水洗、干燥,在刻蚀液下进行ITO图形的刻蚀,最后进行剥膜,去掉Pr胶层,得到ITO电极图形。
2)经过清洗的玻璃基板在真空镀膜机中蒸镀Cr层、蒸镀Cu层、蒸镀Cr层,蒸镀完成后得到Cr/Cu/Cr剥膜层。蒸镀完成的前面板玻璃上涂敷Pr胶,经过干燥,然后在一定曝光量下进行曝光,曝光后进行显影、水洗、干燥,然后分别在三种不同的刻蚀液下分别刻蚀Cr层、Cu层、Cr层,最后进行剥膜,去掉Pr胶层,得到Cr/Cu/Cr BUS电极图形。
3)经过清洗的带有Cr/Cu/Cr电极的前面板,涂敷一层介质浆料,经过干燥后进行烧结;再涂敷第二层介质浆料,经过干燥后进行第二层介质烧结;烧结完后得到透明介质层。
4)经过清洗的前面板玻璃在真空蒸镀MgO层,蒸镀完毕后喷涂二次MgO,至此完成前面板的制作。
5)完成前面板所有图形及图层制作后,和已经制作好的后面板进行对合;然后投入封排炉中进行封接排气,充入一定比例的Xe+Ne工作气体。
6)最后在老炼台上进行屏的老炼,进行点灯检查等工序。
由于现有技术中采用了ITO电极和BUS电极分别制作,使用不同Pr胶完成曝光显影刻蚀工序,最终得到前面板的显示电极。每块屏制作时ITO电极的制作要使用ITO母版进行曝光显影,然后进行刻蚀得到ITO电极,BUS电极制作要使用BUS母版进行曝光显影,然后再分别使用不同的刻蚀液进行上层Cr刻蚀、中间层Cu刻蚀、下层Cr刻蚀,最终得到Cr/Cu/Cr制作的BUS电极。
在产品制作时,这样的工艺技术不但工序时间长,要反复进行曝光显影进而进行刻蚀,才能得到ITO电极图形和BUS电极图形;而且在设备、材料的应用上也造成了极大的浪费,需要两台曝光设备、两台显影干燥设备,再加上重复的水洗工序造成设备的浪费,材料方面要反复进行涂敷2次Pr胶,使用相同浓度的显影液进行显影,造成材料使用上的极大浪费;同时在BUS电极曝光时要和已经制作好的ITO电极进行精确对位,随着显示屏分辨率的提高对对位的要求也越来越精确,对设备的要求也越来精确,制作的难度也较大,如果出现ITO和BUS电极对位偏差大,会造成良品率的降低;对位偏差还容易使制作的电极、黑条图形出现位置偏差影响显示屏的亮度、对比度,在电压特性上也影响显示屏的特性,使显示质量变差,画面质量差,导致屏放光效率等方面也会相应的降低。综上,现有工艺技术工艺繁琐,设备投入成本和材料消耗成本高,造成前面板的制作成本高,从而导致了显示屏的制作成本高,生产效率低下。
发明内容
为了克服现有技术的上述缺点,本发明提供了一种等离子显示屏前面板的制作方法,能简化前面板的制作工序、减少设备投资、降低材料消耗,提高显示屏生产效率,同时也能提高电极对位精度和等离子显示屏的画质,降低显示屏生产成本。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种等离子显示屏前面板的制作方法,包括以下步骤:
1)蒸镀ITO膜:将前面板玻璃清洗后放入真空镀膜机中,使用靶材蒸镀得到130-160nm厚度的ITO膜;
2)蒸镀Cr、Cu、Cr层:将具有ITO膜层的前面板放入真空镀膜机中,在150~250℃下使用Cr靶材蒸镀底层Cr,得到厚度为0.04-0.06μm厚度的薄膜层;然后使用Cu靶材蒸镀中间层Cu,得到厚度为2-4μm厚度的薄膜层;再使用Cr靶材蒸镀上层Cr,得到厚度为0.1μm的薄膜层;
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