[发明专利]被覆件及其制造方法

权利要求书

1.一种被覆件，包括基体，其特征在于：所述被覆件还包括依次形成于基体上的铬层、氮氧化铬层及氧化铝层。

2.如权利要求1所述的被覆件，其特征在于：所述铬层、氮氧化铬层及氧化铝层分别通过磁控溅射镀膜法形成。

3.如权利要求1或2所述的被覆件，其特征在于：所述氮氧化铝层中铝元素的质量百分含量为40％～65％，氧元素的质量百分含量为30％～45％，氮元素的质量百分含量为5％～15％。

4.如权利要求1所述的被覆件，其特征在于：所述铬层的厚度为100～200nm。

5.如权利要求1所述的被覆件，其特征在于：所述氮氧化铬层的厚度为0.5～1μm，所述氧化铝层的厚度为0.3～0.5μm。

6.如权利要求1所述的被覆件，其特征在于：所述基体为不锈钢、模具钢或高速钢。

7.一种被覆件的制造方法，包括以下步骤：

提供基体；

以铬靶为靶材，于基体上磁控溅射铬层；

以铬靶为靶材，以氮气及氧气为反应气体，于铬层上磁控溅射氮氧化铬层；

以铝靶为靶材，以氧气为反应气体，于氮氧化铬层上磁控溅射氧化铝层。

8.如权利要求7所述的被覆件的制造方法，其特征在于：磁控溅射铬层的步骤采用如下方式实现：以氩气为工作气体，设置氩气流量为100～200sccm，于基体上施加-100～-300V的偏压，镀膜温度为100～150℃，设置铬靶的电源功率为5～10kw，沉积时间为5～15min。

9.如权利要求7所述的被覆件的制造方法，其特征在于：磁控溅射氮氧化铬层的步骤采用如下方式实现：以氩气为工作气体，设置氩气流量为100～200sccm，设置氮气的流量为10～100sccm、氧气的流量为10～100sccm；于基体上施加-100～-300V的偏压，镀膜温度为100～150℃，设置铬靶的电源功率为5～10kw，镀膜温度为100～150℃，沉积时间为30～60min。

10.如权利要求7所述的被覆件的制造方法，其特征在于：磁控溅射氧化铝层的步骤采用如下方式实现：以氩气为工作气体，设置氩气流量为100～200sccm，于基体上施加-100～-300V的偏压，设置氧气的流量为50～100sccm，设置铝靶的电源功率为5～10kw，镀膜温度为100～150℃，沉积时间为20～40min。