[发明专利]全CMOS精确电流采样电路无效
| 申请号： | 201010598946.4 | 申请日： | 2010-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102156211A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 李文昌;方健;王泽华;管超;陈吕赟;吴琼乐;柏文斌;杨毓俊;黎俐;于廷江 | 申请（专利权）人： | 成都成电硅海科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610041 四川省成都市高新区*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 精确 电流 采样 电路 | ||
【权利要求书】：
1.全CMOS精确电流采样电路，包括功率管(MN1)和采样管(MN2)，功率管(MN1)的漏极和采样管(MN2)的漏极连接电源电压VDD，栅极接第一输入电压(VDC1)，其特征在于，还包括第一运放(A1)、第二运放(A2)和MOS管(MN3)，功率管(MN1)的源极接第一运放(A1)的负极和MOS管(MN3)的漏极，采样管(MN2)的源极接第一运放(A1)的正极，第一运放(A1)的输出端接第二运放的正极，基准源(VREF)连接第二运放(A2)的负极，第二运放(A2)的输出端接MOS管(MN3)的栅极，MOS管(MN3)的源极接地。
2.如权利要求1所述的全CMOS精确电流采样电路，其特征在于，所述功率管(MN1)、采样管(MN2)和MOS管(MN3)皆为NMOS管。
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