[发明专利]全CMOS精确电流采样电路

说明书

技术领域

本发明属于电子技术领域，涉及H桥功率驱动器集成电路，同时涉及电流采样电路。

背景技术

由于直流电机的广泛应用，推出了一批功能齐全，使用简单的直流电机驱动器，它们包括有半桥、双半桥、四半桥、单H桥、双H桥等。

在H桥功率驱动电路中，需要准确、高效地检测功率开关管的电流值，所以电流检测方法的设计有很重要的意义，同时电流采样技术对于功率器件和负载的过流保护也极其重要。功率电路中常用的电流采样方法有电阻采样、磁采样、SENSEFET采样等，SENSEFET采样电流方法如图1所示。图中Kelvin线表示考虑了电路中的电流流过金属线造成的电压差的影响。通常SENSEFET的栅宽远小于MainFET的栅宽，希望Isense与IOUT的比例关系由功率管功率管sense MOS和DMOS的W/L之比决定，按1/N的比例采样。工作在饱和区的MOS管漏极电流为，以N管为例：

IDS=12μnCoxWL(VGS-VTH)2]]>

μ_n为电子的迁移率，C_ox为单位面积的栅氧化层电容，W为栅的宽度，L为栅的长度，V_GS为栅源两极之间的电压，V_TH为阈值电压。

SENSEFET的漏极电流IDsense=12μnCox(WL)sense(VGSsense-VTH)2]]>

DMOS管的漏极电流为IDmain=12μnCox(WL)main(VGSmain-VTH)2]]>