[发明专利]发光器件及其制造方法无效
申请号: | 201010602402.0 | 申请日: | 2010-12-10 |
公开(公告)号: | CN102130276A | 公开(公告)日: | 2011-07-20 |
发明(设计)人: | 中村敬彦 | 申请(专利权)人: | 精工电子有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/64;H01L33/62;H01L33/60;H01L33/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 何欣亭;王忠忠 |
地址: | 日本千叶*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及使用高亮度及高输出的LED元件作为光源的发光器件及其制造方法。特别是涉及通过提高散热效果来延长LED元件的寿命的发光器件。
背景技术
现有的LED封装件的构造为,在电路基板的电极图案安装LED元件作为光源,用环氧树脂等将该基板的前面、以及具有倾斜并贯穿的反射面的反射部件一体化,从而进行固定。反射部件的外形尺寸与基板大小几乎相同。在这样结构的LED封装件中,来自LED元件的光被该反射面向前面反射。
然而,由于上述LED封装件没有使用热传导性较高、即散热功能优良的材料作为基板材料,因此在LED元件的发光工作中无法得到优良的散热效果。另外,由于用另外的工序将反射部件固定在上述基板,因此难以简化制造工序,由此会导致组装费用上升。
为解决这些缺点,作为制造LED封装件的方法,提出了日本特开2007-294966号公报(专利文献1)等。使用图7简单说明专利文献1的结构。如图所示,LED封装件70包括:在表面形成有多级凹陷的铝基板71;安装在凹陷的底面,用金属线75与电极图案73电连结的光源74;形成于上述电极图案73与铝基板71之间的进行了阳极氧化(anodising)处理的绝缘层72;以及被覆盖在上述基板的光源上的成型(moulding)部76。而且,在光源的LED元件的下部面形成铝散热部,从而提供了一种散热性能优良的LED封装件及其制造方法。在专利文献1所涉及的发明中,由于基板由铝材料构成,进行阳极氧化处理来形成绝缘层,因此能够得到优良的散热效果,据此,可以增大LED封装件的使用寿命和发光效率。
然而,存在的问题是:尽管在上述LED封装件中使用热传导系数为236W/m·K的铝,但由于进行阳极氧化处理的绝缘层72的热传导系数为32W/m·K,因此热传导系数下降。另外,存在的问题是:由于绝缘层72为多孔状的构造,成型部76覆盖该绝缘层72,因此在形成成型部时容易从绝缘层部分产生气泡,产生内有气泡这样的不良。还存在的问题是:由于硫化物等的气体会通过该绝缘层到达封装件内部,因此在反射膜或LED元件的固定使用含有银的材料时,劣化进行得较快。
发明内容
为解决上述的问题,本发明的发光器件的结构如下。即,包括:光源;第一金属基板,搭载光源;第二金属基板,与第一金属基板配置在同一平面,且与第一金属基板绝缘;金属线,将光源和第二金属基板电连接;平板状的反射部件,设置在第一金属基板及第二金属基板,具有光源侧的面小于与该光源侧的面相反侧的面的贯穿孔,并且具有由倾斜的反射面形成的贯穿孔侧的侧面;模型材料,覆盖光源;狭缝,设在第一金属基板与第二金属基板之间;以及绝缘材料,填充狭缝部。
另外,用铜、银、金、铝中的任一种形成第一金属基板及第二金属基板。另外,反射部件的倾斜面由冷光镜膜、银膜、铝膜中的至少任意一个形成。此处,模型材料适用疏水性材料。另外,模型材料和绝缘材料可以是同一材质。
另外,本发明的发光器件的制造方法包括:在第三金属基板形成狭缝,该狭缝将搭载有光源的部分的第一金属基板和由引线接合进行连接的部分的第二金属基板分割的工序;将形成有倾斜贯穿孔的反射部件设置在第三金属基板的工序;在第三金属基板搭载光源的工序;利用金属线将第三金属基板和光源电连接的工序;以及提供铸模及绝缘用的材料的工序。另外,也可以不同时提供模型材料和狭缝的绝缘材料,而在狭缝形成绝缘材料后将反射部件设置在第三金属基板,最后提供模型材料。
另外,作为将第三金属基板和光源进行接合的方法,可以例举通过对金属纳米粒子进行烧结而接合的方法。
并且,包括将一并形成于第三金属基板的多个发光器件小片化的工序。此时,在将反射部件和第三金属基板进行粘接或者接合的工序中,通过使用具有槽部的反射部件,可以容易进行小片化。
根据本发明,由于确保没有使热传导系数下降的部分的散热路径,因此可以实现散热性较高的发光器件。另外,由于在反射部件没有多孔状的构造,因此不会出现模型材料导致的密封部的不良,可以实现可靠性也较高的发光器件。
附图说明
图1是本发明的发光器件的剖视图。
图2(a)至(f)是表示本发明的发光器件的制造工序的图。
图3是本发明所涉及的发光器件的制造工序的俯视图。
图4(a)至(d)是表示本发明的发光器件的制造工序的图。
图5(a)至(f)是表示本发明的发光器件的制造工序的图。
图6(a)至(f)是表示本发明的发光器件的制造工序的图。
图7是表示传统例的剖视图的图。
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