[发明专利]一种有机半导体材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.下述通式的有机半导体材料，

式中，R为C₁-C₁₂的烷基；R₁、R₂、R₃为氢原子、氟原子、氰基、醛基、硝基或羧基，且R₁、R₂、R₃最多两个同时为氢原子。

2.根据权利要求1所述的有机半导体材料，其特征在于，R为C₁-C₁₂的直链或带支链的烷基。

3.根据权利要求1所述的有机半导体材料，其特征在于，R₁、R₂、R₃分别为氢原子和氟原子；或者R₁、R₂、R₃分别为氢原子和氰基；或者R₁、R₂、R₃分别为氢原子和醛基；或者R₁、R₂、R₃分别为氢原子和硝基；或者R₁、R₂、R₃分别为氢原子和羧基。

4.根据权利要求1所述的有机半导体材料，其特征在于，R₁、R₂、R₃同时为氟原子、氰基、醛基、硝基或羧基中的任一种。

5.一种有机半导体材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1，提供如下化合物A和B；

化合物A为式中，R为C₁-C₁₂的烷基；R’为碘原子或溴原子；

化合物B为

步骤S2，惰性气体氛围内，将化合物A和B溶于含有催化剂的第一有机溶剂中，于60～130℃下进行Suzuki反应20～40h，制得通式为的化合物C；

步骤S3，在惰性气体氛围内，在-78～180℃温度条件下，将步骤S2中制得的化合物C溶于第二有机溶剂，制得混合溶液，然后往混合溶液中滴加含氟原子(F)、氰基(-CN)、醛基(-CHO)、硝基(-NO₂)或羧基(-COOH)吸电子基团中的任意一种试剂，进行取代反应8～48h，制得通式为的所述有机半导体材料；式中，R₁、R₂、R₃为氢原子、氟原子、氰基、醛基、硝基或羧基，且R₁、R₂、R₃中最多两个同时为氢原子。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，R为C₁-C₁₂的直链或带支链的烷基。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，化合物A和B的摩尔比1∶3～1∶4.5。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述催化剂为有机钯，或者为有机钯与有机磷配体的混合物；所述催化剂的摩尔用量为化合物A摩尔用量的0.005～0.10倍；所述第一有机溶剂为在四氢呋喃、乙二醇二甲醚、苯、氯苯或甲苯中的至少一种。

9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述试剂的添加摩尔量为化合物A摩尔用量的3～20倍；所述第二有机溶剂为N，N-二甲基甲酰胺、四氢呋喃、甲苯、二氯甲烷或三氯甲烷中的至少一种。

10.权利要求1至4任一所述的有机半导体材料在有机电致发光器，有机太阳能电池，有机场效应晶体管，有机光存储器，有机非线性材料或有机激光器领域中的应用。