[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

在衬底结构之上形成多个光致抗蚀剂图案；

在包括所述光致抗蚀剂图案的结构之上形成绝缘层；

各向异性地刻蚀所述绝缘层来在所述光致抗蚀剂图案的侧壁上形成多个间隔件，并形成贯穿所述绝缘层的第一开口以暴露衬底结构；以及

去除所述光致抗蚀剂图案来在所述绝缘层中形成第二开口，以暴露所述衬底结构。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述绝缘层包括氧化物或氮化物。

3.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：在所述第一开口和所述第二开口中形成导电层。

4.如权利要求3所述的方法，其中，形成导电层的步骤包括以下步骤：

在包括所述第一开口和所述第二开口的结构之上沉积所述导电层；以及

将所述导电层抛光，直到暴露所述间隔件为止。

5.如权利要求1所述的方法，其中，形成绝缘层的步骤包括：形成绝缘层，所述绝缘层在相邻的光致抗蚀剂图案之间的区域的顶表面高度比相邻的光致抗蚀剂图案的顶表面的高度低。

6.如权利要求1所述的方法，其中，形成多个间隔件的步骤包括：将间隔件形成为每个间隔件在所述间隔件与所述光致抗蚀剂图案中的一个接合中从垂直角度逐渐倾斜为小于垂直角度的角度。

7.如权利要求6所述的方法，还包括以下步骤：在所述第一开口和所述第二开口中形成导电层，其中，形成导电层的步骤包括以下步骤：

在包括所述第一开口和所述第二开口的结构之上沉积所述导电层；以及

将所述导电层抛光，直到将所述间隔件的逐渐倾斜的部分抛光掉且所述间隔件具有均匀的宽度为止。

8.一种制造半导体器件所述的方法，包括以下步骤：

将顶表面比半导体结构的光致抗蚀剂图案的顶表面低的区域中的绝缘层去除来形成贯穿半导体结构的绝缘层的第一开口，并将绝缘层留在光致抗蚀剂图案的侧壁之上来形成间隔件，其中，在去除所述绝缘层之前，所述绝缘层覆盖所述光致抗蚀剂图案的顶表面；以及

去除所述光致抗蚀剂图案来形成贯穿所述绝缘层的第二开口，其中，所述半导体结构包括第一导电构件，并且所述光致抗蚀剂图案在所述光致抗蚀剂图案被去除之前与所述第一导电构件相接触。

9.如权利要求8所述的方法，其中，形成间隔件的步骤包括：将间隔件形成为每个间隔件在所述间隔件与所述光致抗蚀剂图案中的一个的接合中从垂直角度逐渐倾斜为小于垂直角度的角度。

10.如权利要求9所述的方法，还包括以下步骤：在所述第一开口和所述第二开口中形成导电层，其中，形成导电层的步骤包括以下步骤：

在包括所述第一开口和所述第二开口的结构之上沉积所述导电层；以及

将所述导电层的表面抛光，直到将所述间隔件的逐渐下滑的部分抛光掉且所述间隔件具有均匀的宽度为止。

11.如权利要求8所述的方法，还包括以下步骤：在抛光了的所述导电层以及暴露的所述间隔件之上形成钝化层。

12.如权利要求8所述的方法，其中，形成第一开口的步骤使第二导电构件的表面开放，并且在所述第一导电构件和所述第二导电构件之间水平地插入有第二绝缘层。

13.如权利要求8所述的方法，其中，所述绝缘层包括氧化物或氮化物。

14.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

在衬底之上形成第一绝缘层；

形成第一导电构件至第三导电构件，所述第一导电构件至第三导电构件贯穿所述第一绝缘层而延伸，并沿第一方向彼此间隔开；

形成第一光致抗蚀剂图案和第二光致抗蚀剂图案，所述第一光致抗蚀剂图案和所述第二光致抗蚀剂图案与所述第一导电构件和所述第三导电构件重叠，并沿与所述第一方向大致垂直的方向延伸；

在包括所述第一光致抗蚀剂图案和所述第二光致抗蚀剂图案的结构之上形成用于间隔件的绝缘层；

各向异性地刻蚀所述绝缘层来在所述第一光致抗蚀剂图案和所述第二光致抗蚀剂图案的侧壁上形成多个间隔件，并形成使第二导电构件暴露的第一开口；以及

去除所述第一光致抗蚀剂图案和所述第二光致抗蚀剂图案，来形成使所述第一导电构件和所述第三导电构件暴露的第二开口。