[发明专利]制作半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，包括：

提供前端器件结构，所述前端器件结构包括衬底、在所述衬底上的栅介质层、在所述栅介质层上的伪栅极、以及覆盖所述栅介质层和所述伪栅极的刻蚀停止层；

在所述前端器件结构上形成金属前介电层；

平坦化所述金属前介电层至露出所述刻蚀停止层的上表面；

在所述金属前介电层和所述刻蚀停止层上形成掩膜层和具有开口图案的光刻胶层，所述开口图案与所述伪栅极对齐；

以所述光刻胶层为掩膜对所述掩膜层进行刻蚀；

以刻蚀后的掩膜层为掩膜对所述刻蚀停止层进行刻蚀，至露出所述伪栅极的上表面；

去除所述刻蚀后的掩膜层；以及

去除所述伪栅极，以形成填充开口。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀停止层具有张应力。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体器件为PMOS器件、NMOS器件或CMOS器件。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，N型区域内的所述刻蚀停止层具有张应力，P型区域内的所述刻蚀停止层具有压应力。

5.如权利要求2或4所述的方法，其特征在于，所述张应力为0-2GPa，所述压应力为0-4GPa。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述前端器件结构还包括硅化物层，所述硅化物层形成在所述栅介质层上和所述伪栅极的侧壁与所述刻蚀停止层之间。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为无定形碳。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述伪栅极的材料为多晶硅。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，采用湿法刻蚀去除所述伪栅极，其中，刻蚀溶液选用氢氧化铵溶液或烷基氢氧化铵溶液。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述烷基氢氧化铵为四甲基氢氧化铵。

11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述氢氧化铵溶液或所述烷基氢氧化铵溶液的浓度为1-40%（体积比）。

12.如权利要求8所述的方法，其特征在于，采用干法刻蚀去除所述伪栅极，其中，刻蚀气体选用氟化硫、溴化氢、碘化氢、氯气中的一种或多种。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在所述填充开口内形成金属层，以形成金属栅极。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述金属栅极包括PMOS器件的金属栅极和NMOS器件的金属栅极。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述金属层自下而上依次包括功函数设定金属层和栅极电极层。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述PMOS器件的金属栅极的功函数设定金属层的材料包括钌、钯、铂以及金属氮化物中的一种或多种。

17.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述NMOS器件的金属栅极的功函数设定金属层的材料包括钛、钽、铝、锆、铪、这些元素的合金、以及这些元素的金属碳化物等中的一种或多种。

18.一种包含通过如权利要求1所述的方法制造的半导体器件的集成电路，其中所述集成电路选自随机存取存储器、动态随机存取存储器、同步动态随机存取存储器、静态随机存取存储器、只读存储器、可编程逻辑阵列、专用集成电路、掩埋式动态随机存取存储器和射频电路的其中至少一种。

19.一种包含通过如权利要求1所述的方法制造的半导体器件的电子设备，其中所述电子设备选自个人计算机、便携式计算机、游戏机、蜂窝式电话、个人数字助理、摄像机、数码相机和手机的其中至少一种。