[发明专利]用于制作嵌入式锗硅应变PMOS器件结构的方法

权利要求书

1.一种用于制作嵌入式锗硅应变PMOS器件结构的方法，所述方法包括：

提供前端器件结构，所述前端器件结构包括半导体衬底，所述半导体衬底中形成有凹槽；

通过第一次选择性外延生长在所述凹槽中形成含碳锗硅应力层；以及

通过第二次选择性外延生长在所述含碳锗硅应力层上形成无碳锗硅应力层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一次选择性外延生长和所述第二次选择性外延生长选自LPCVD、VLPCVD、PECVD、UHVCVD、RTCVD、APCVD和MBE中的一种。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一次选择性外延生长是在550~880摄氏度的温度下进行的。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二次选择性外延生长是在550~880摄氏度的温度下进行的。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一次选择性外延生长和所述第二次选择性外延生长是在同一个工艺反应腔中进行的。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述含碳锗硅应力层所使用的源气体包含SiH₄、GeH₄和CH₃SiH₃。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述含碳锗硅应力层所使用的源气体包含Si₂H₆、GeH₄和CH₃SiH₃。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述含碳锗硅应力层所使用的源气体包含SiH₄、Ge₂H₆和CH₃SiH₃。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述含碳锗硅应力层所使用的源气体包含或Si₂H₆、Ge₂H₆和CH₃SiH₃。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述含碳锗硅应力层所使用的源气体包含SiH₄、GeH₄和CH₃SiH₃。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述含碳锗硅应力层所使用的源气体包含Si₂H₆、GeH₄和CH₄。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述含碳锗硅应力层所使用的源气体包含SiH₄、Ge₂H₆和CH₄。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述含碳锗硅应力层所使用的源气体包含或Si₂H₆、Ge₂H₆和CH₄。

14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含碳锗硅应力层的分子式为Si_1-x-yGe_xC_y，其中，0<x<1，0<y<1。

15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含碳锗硅应力层中锗的原子百分含量为10%~40%，碳的原子百分含量为0.001%~5%。

16.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述无碳锗硅应力层所使用的源气体包含SiH₄和GeH₄。

17.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述无碳锗硅应力层所使用的源气体包含Si₂H₆和GeH₄。