[发明专利]一种MOS器件结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201010608073.0 | 申请日： | 2010-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102130174A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 任铮;周卉;胡少坚;李曦;石艳玲 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;华东师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mos 器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种MOS器件结构，其特征在于，包括：
MOS晶体管区，包含栅极和源/漏极区，其中栅极设于半导体衬底上方，栅极两侧的源/漏极区设于半导体衬底中；
浅沟槽隔离结构，设于半导体衬底中，并位于MOS晶体管区的两侧；
无注入离子区，位于源/漏极区和浅沟槽隔离结构之间的半导体衬底中。
2.如权利要求1所述的MOS器件结构，其特征在于，所述无注入离子区的长度为MOS晶体管区的栅极边缘到最近的浅槽隔离结构边缘的距离的5％～10％。
3.一种MOS器件结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，并在半导体衬底内形成浅沟槽隔离结构；
在半导体衬底上方形成栅极；
在栅极两侧形成侧墙结构；
在上述器件结构表面形成阻挡层；
将沟槽隔离结构边缘附近一预设长度的区域定义为无离子注入区，剥离除无离子注入区以外部分的阻挡层；
通过掺杂离子注入在栅极两侧未被阻挡层覆盖的半导体衬底中形成源/漏极区；
剥离无离子注入区上方的阻挡层。
4.如权利要求3所述的MOS器件结构的制造方法，其特征在于，所述预设长度为栅极边缘到最近的浅槽隔离结构边缘的距离的5％～10％。
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